[實(shí)用新型]一種新型存儲(chǔ)模式的eMMC及智能終端

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201920341422.3
• 申請(qǐng)日: 2019-03-18
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN209803782U
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-12-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 易科臣
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳康佳電子科技有限公司
• 主分類號(hào): G06F13/16
• 分類號(hào): G06F13/16;G06F13/38;H04N21/426;H04N21/41
• 代理公司: 44268 深圳市君勝知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)
• 代理人: 王永文;劉文求

本實(shí)用新型公開(kāi)了一種新型存儲(chǔ)模式的eMMC及智能終端，所述新型存儲(chǔ)模式的eMMC包括eMMC本體，以及設(shè)置在EMMC本體內(nèi)的：pSLC模式控制器，以及與所述pSLC模式控制器通訊連接的MLC NAND FLASH（多層單元閃存）；所述pSLC模式控制器和MLC NAND FLASH封裝在所述eMMC本體內(nèi)。本實(shí)用新型采用內(nèi)置pSLC模式控制器和MLC Nand Flash的eMMC替代傳統(tǒng)的普通模式eMMC，在不增加成本的情況下，成倍提升eMMC的可擦寫(xiě)數(shù)據(jù)量，有效防止eMMC被超額擦寫(xiě)損壞，延長(zhǎng)了電視機(jī)的使用壽命。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及消費(fèi)類電子技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及的是一種新型存儲(chǔ)模式的eMMC及智能終端。

背景技術(shù)

通俗的來(lái)說(shuō)，eMMC＝NAND閃存+閃存控制芯片+標(biāo)準(zhǔn)接口封裝。目前的電視機(jī)廣泛使用eMMC(帶控制器的存儲(chǔ)裝置，內(nèi)嵌存儲(chǔ)器)，內(nèi)置MLC Nand Flash(flash存儲(chǔ)器的一種)和控制器，電視機(jī)軟件會(huì)將掉電后仍需保存的信息通過(guò)其內(nèi)置控制器分配存儲(chǔ)到MLC NandFlash中。

固態(tài)硬盤(pán)就是靠NAND Flash閃存芯片存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的，這點(diǎn)類似于常見(jiàn)的U盤(pán)。NANDFlash根據(jù)存儲(chǔ)原理分為三種，SLC、MLC、TLC；SLC＝Single-Level Cell，即1bit per cell，1個(gè)存儲(chǔ)器儲(chǔ)存單元可存放1bit的數(shù)據(jù)，只存在0和1兩個(gè)充電值。以此類推，TLC ＝Triple-Level Cell，即3bit per cell，1個(gè)存儲(chǔ)器儲(chǔ)存單元可存放3bit的數(shù)據(jù)。

采用MLC顆粒的Nand Flash的可擦寫(xiě)次數(shù)相對(duì)較少，通常在5000次左右，僅為 SLC顆粒Nand Flash可擦寫(xiě)次數(shù)的1/20，但SLC顆粒Nand Flash的成本是MLC顆粒Nand Flash的3倍，讓人望而卻步。因此電視機(jī)采用內(nèi)置MLC Nand Flash的eMMC成本雖合理，但因可擦寫(xiě)次數(shù)限制，無(wú)法將大量用戶需要的信息存放到eMMC中，否則將導(dǎo)致 eMMC超額擦寫(xiě)損壞，影響的產(chǎn)品使用壽命。

而隨著信息技術(shù)的發(fā)展，用戶需要將越來(lái)越多的數(shù)據(jù)信息存放到eMMC中，實(shí)際上也發(fā)現(xiàn)售后維修電視機(jī)中有不少因eMMC擦寫(xiě)超額導(dǎo)致?lián)p壞的情況。

目前的電視機(jī)主板上廣泛采用內(nèi)置MLC Nand Flash及普通控制器的eMMC，成本上雖然較SLC Nand Flash有優(yōu)勢(shì)，但是其可擦寫(xiě)次數(shù)大幅降低，考慮到電視機(jī)使用壽命，就需要限制存入eMMC的信息數(shù)據(jù)量。但是隨著網(wǎng)絡(luò)視頻的發(fā)展，同時(shí)用戶時(shí)間碎片化，以及用戶對(duì)視覺(jué)美觀，智能控制等的需求提升，越來(lái)越多的用戶使用信息、圖片及應(yīng)用軟件等數(shù)據(jù)被用戶不斷存入eMMC，這給電視機(jī)的使用壽命帶來(lái)不良影響，還容易導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失，不方便用戶使用。

因此，現(xiàn)有技術(shù)還有待于改進(jìn)和發(fā)展。

實(shí)用新型內(nèi)容

鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本實(shí)用新型的目的在于提供一種新型存儲(chǔ)模式的eMMC及智能終端，本實(shí)用新型增加存儲(chǔ)器的使用壽命且不增加成本的產(chǎn)品。采用內(nèi)置pSLC模式控制器和MLC Nand Flash的eMMC替代傳統(tǒng)的普通模式eMMC，在不增加成本的情況下，成倍提升eMMC的可擦寫(xiě)數(shù)據(jù)量，有效防止eMMC被超額擦寫(xiě)損壞，延長(zhǎng)了使用壽命。

本實(shí)用新型的技術(shù)方案如下：

一種新型存儲(chǔ)模式的eMMC，其中，包括：eMMC本體，以及設(shè)置在eMMC本體內(nèi)的： MLCNAND FLASH，以及與所述MLC NAND FLASH通訊連接的用于控制讀取MLC NAND FLASH上存儲(chǔ)的信息的pSLC模式控制器；所述pSLC模式控制器和MLC NAND FLASH封裝在所述EMMC本體內(nèi)。

所述新型存儲(chǔ)模式的eMMC，其中，所述pSLC模式控制器為準(zhǔn)單層單元模式的 NandFlash控制裝置，可讓存儲(chǔ)單元被用于存儲(chǔ)單個(gè)位的模式。