[實用新型]一種固體飛秒放大裝置有效
| 申請號: | 201920339933.1 | 申請日: | 2019-03-18 |
| 公開(公告)號: | CN209544804U | 公開(公告)日: | 2019-10-25 |
| 發明(設計)人: | 趙裕興;李立衛 | 申請(專利權)人: | 蘇州貝林激光有限公司 |
| 主分類號: | H01S3/00 | 分類號: | H01S3/00;H01S3/10 |
| 代理公司: | 江蘇圣典律師事務所 32237 | 代理人: | 王玉國 |
| 地址: | 215021 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 透鏡 偏振立方體 激光晶體 放大裝置 脈沖壓縮 依次布置 泵浦光 體光柵 耦合鏡 波片 放大 放大器 功率輸出效率 本實用新型 單脈沖能量 放大器增益 輸出光脈沖 端面泵浦 方式采用 行波放大 壓縮技術 種子脈沖 耦合系統 泵浦源 隔離器 光輸出 全反鏡 輸出光 旋光器 重合度 泵浦 光路 入射 反射 輸出 | ||
本實用新型涉及固體飛秒放大裝置,沿光路依次布置的隔離器、偏振立方體一、旋光器和1/2波片,位于透鏡的一側;透鏡的同一側還布置有全反鏡,透鏡的另一側布置有激光晶體,激光晶體的另一側布置有耦合鏡,泵浦源的泵浦光經耦合系統和耦合鏡入射至激光晶體,偏振立方體一的反射輸出光路上依次布置偏振立方體二、1/4波片和體光柵。采用固體放大技術,有效提升放大器輸出單脈沖能量;采用四程行波放大技術有效提升放大器增益,可輕松獲得幾十瓦放大光輸出;泵浦方式采用端面泵浦,種子脈沖和泵浦光空間重合度高,輸出光脈沖光束質量優異;脈沖壓縮方案采用基于體光柵壓縮技術,用一個器件就可完成高質量脈沖壓縮,提升功率輸出效率。
技術領域
本實用新型涉及一種固體飛秒放大裝置。
背景技術
目前,飛秒激光器以其極高的峰值功率、窄的脈沖寬度,在材料精細微加工、半導體行業、太陽能光伏、科學研究等領域得到了廣泛的應用。飛秒激光用于材料加工時,極短持續時間的光脈沖與物質相互作用,能夠以極快的速度將其全部能量注入到很小的作用區域,材料熱效應得到很好的控制,相對于納秒和皮秒激光,采用飛秒激光加工材料,具有精度高、熱影響區域小、加工邊緣無毛刺等優點。飛秒脈沖峰值功率非常高,直接放大很容易引起放大器器件損壞,因此飛秒激光器通常采用啁啾脈沖放大技術(CPA),即先利用展寬器將種子光脈沖展寬至幾百皮秒甚至納秒量級,然后輸入放大器進行脈沖放大。放大器輸出的脈沖再通過脈沖壓縮器,將百皮秒輸出脈沖壓縮至飛秒量級輸出。
目前飛秒激光器中的放大器技術主要分為三種,一種是基于光纖放大技術,比如國外的IMRA、NKT公司,國內的安揚激光等;一種是基于再生放大的固體放大器技術,比如國外的Trumpf、Lightconversion公司等;還有一種是基于固體板條放大器技術,如Edgewave公司。
脈沖壓縮方案主流技術有兩種,一種是基于反射光柵對方案,另一種是基于透射光柵對方案,因為要引入足夠的色散,光柵對之間的距離會很大,因此會占用很大一部分空間。另外,為了獲得好的脈沖壓縮質量,準直要求很高。同時光柵對的方案要4次經過光柵,盡管單次光柵的衍射效率能達到90%,4次通過后,效率只有70%,因此功率損耗比較大。
另外,光纖放大器優點是輸出功率高,放大增益高(>109),結構簡單穩定,制作成本相對較低,缺陷是受光纖非線性影響,無法獲得高脈沖能量輸出,單脈沖能量通常<100uJ。另外,受光纖非線性效應影響,壓縮后的脈沖質量不高。再生放大器優點是,放大器增益高,很容易獲得>200uJ單脈沖能量輸出,缺陷是放大腔結構復雜,對脈沖時序要求非常嚴格,同時需要加入電光腔倒空功能,制作難度大,成本高,穩定性不容易控制。板條放大器優點是,放大增益高,結構簡單,能夠獲得較高單脈沖能量輸出(>200uJ),但是因為泵浦光和種子光空間重合度差,放大器輸出激光光束質量和光斑圓度較差,很多應用受限。
發明內容
本實用新型的目的是克服現有技術存在的不足,提供一種固體飛秒放大裝置。
本實用新型的目的通過以下技術方案來實現:
一種固體飛秒放大裝置,特點是:包含隔離器、偏振立方體一、旋光器、1/2波片、透鏡、激光晶體、耦合鏡、全反鏡、偏振立方體二、1/4波片以及體光柵,沿光路依次布置的隔離器、偏振立方體一、旋光器和1/2波片,位于透鏡的一側;透鏡的同一側還布置有全反鏡,透鏡的另一側布置有激光晶體,激光晶體的另一側布置有耦合鏡,泵浦源的泵浦光經耦合系統和耦合鏡入射至激光晶體,偏振立方體一的反射輸出光路上依次布置偏振立方體二、1/4波片和體光柵。
進一步地,上述的一種固體飛秒放大裝置,其中,所述泵浦源是波長為940nm、970nm、980nm波段,輸出功率為30W~200W的泵浦源。
進一步地,上述的一種固體飛秒放大裝置,其中,所述激光晶體為Yb:YAG激光晶體、Yb:KGW激光晶體或Yb:KYW激光晶體。
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