[實用新型]一種發光二極管芯片有效
| 申請號： | 201920338507.6 | 申請日： | 2019-03-11 |
| 公開（公告）號： | CN209461490U | 公開（公告）日： | 2019-10-01 |
| 發明（設計）人： | 唐軍;齊勝利;劉亞柱;潘堯波;陳志忠;詹景麟;康香寧;焦飛;張國義;沈波 | 申請（專利權）人： | 合肥彩虹藍光科技有限公司;北京大學 |
| 主分類號： | H01L33/62 | 分類號： | H01L33/62;H01L33/48 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 王華英 |
| 地址： | 230011 安*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體層 金屬電極 襯底 發光二極管芯片 金屬層 本實用新型 發光層 納米柱 發光二極管芯片結構 外延結構 暴露 | ||
1.一種發光二極管芯片，其特征在于，包括：
襯底；
外延結構，位于所述襯底上，包括第二半導體層，發光層，第一半導體層；
金屬層，位于所述位于結構上的第一半導體層上；
凹槽，位于襯底上，暴露部分所述第二半導體層；
金屬電極，位于所述金屬層及暴露的第二半導體層上，包括第一金屬電極，第二金屬電極；
納米柱，位于所述襯底上，包括所述第一金屬電極，所述金屬層，所述第一半導體層，所述發光層以及部分所述第二半導體層。
2.根據權利要求1所述的發光二極管芯片，其特征在于：所述第二半導體層位于所述襯底上，所述發光層位于所述第二半導體層上，所述第一半導體層位于所述發光層上。
3.根據權利要求1所述的發光二極管芯片，其特征在于：所述凹槽包括所述金屬層，所述第一半導體層，所述發光層以及部分所述第二半導體層。
4.根據權利要求1所述的發光二極管芯片，其特征在于：所述第一金屬電極與所述第二金屬電極的高度相等。
5.根據權利要求1所述的發光二極管芯片，其特征在于：所述發光二極管芯片包括多個納米柱，所述納米柱包括多種不同的結構。
6.根據權利要求1所述的發光二極管芯片，其特征在于：所述發光二極管芯片還包括絕緣層，所述絕緣層位于相鄰所述納米柱之間，以及位于所述第一金屬電極以及所述第二金屬電極之間。
7.根據權利要求1所述的發光二極管芯片，其特征在于：所述發光二極管芯片還包括金屬焊盤，所述金屬焊盤位于所述金屬電極上。
8.根據權利要求1所述的發光二極管芯片，其特征在于：所述發光二極管芯片還包括倒裝焊接部分，所述倒裝焊接部分位于所述發光二極管芯片對應的位置上。
9.根據權利要求8所述的發光二極管芯片，其特征在于：所述倒裝焊接部分包括基板，絕緣層，焊盤金屬層，所述絕緣層位于所述基板上，所述焊盤金屬層位于所述絕緣層上。
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