[實用新型]高可靠性MOS過流保護電路

有效

• 申請號: 201920327904.3
• 申請日: 2019-03-14
• 公開（公告）號: CN209516622U
• 公開（公告）日: 2019-10-18
• 發明（設計）人: 李璽;單士忠
• 申請（專利權）人: 青島貝斯克電子有限公司
• 主分類號: H02H7/20
• 分類號: H02H7/20;H02H3/04;H02H9/04
• 代理公司: 北京聯瑞聯豐知識產權代理事務所(普通合伙) 11411
• 代理人: 蘇友娟

本實用新型提供高可靠性MOS過流保護電路，包括比較器芯片U1A，所述比較器芯片U1A的同相輸入端第一支路通過導線與二極管D1的陽極相連接，第二支路通過導線接二極管D2的陽極，所述二極管D2的陰極通過導線接電源端子VCC，所述二極管D2的陽極通過導線接二極管D3的陰極，所述二極管D3的陽極接地，所述電源端子VCC通過電阻R1以及電容C1接地，所述比較器芯片U1A的同相輸入端通過導線和電阻R1與電容C1的連接節點相連接，所述二極管D1的陰極通過導線接MOS管Q1的漏極，所述MOS管Q1的源極接地，所述MOS管Q1的柵極第一支路引出端子M_QD，第二支路通過導線接比較器芯片U1B的同相輸入端，該設計實現了MOS過流保護的功能。

技術領域

本實用新型是高可靠性MOS過流保護電路，屬于MOS管過流保護技術領域。

背景技術

MOS管由于其優良的高頻特性，在開關電源中得到普遍應用，當開關電源發生驅動異常而導致上下橋臂直通或者電源輸出短路或過功率時，都會導致MOS管因過流而炸毀，保護電路取樣信號來自于MOS管等功率器件，此處工作條件高壓、高頻、大電流，取樣信號含有各種傳導、輻射造成的尖峰電壓，干擾特別明顯，在長期工作中經常造成保護電路元器件損壞，現有的MOS過流保護電路截止二極管反向恢復容易造成尖峰電壓損壞比較器的情況，且MOS管需要開通時間從而使得電路中存在競爭冒險。

實用新型內容

針對現有技術存在的不足，本實用新型目的是提供高可靠性MOS過流保護電路，以解決上述背景技術中提出的問題，本實用新型不需電流檢測電阻，動作迅速，實現了MOS過流保護的功能，電路穩定可靠。

為了實現上述目的，本實用新型是通過如下的技術方案來實現：高可靠性MOS過流保護電路，包括比較器芯片U1A，所述比較器芯片U1A的同相輸入端第一支路通過導線與二極管D1的陽極相連接，第二支路通過導線接二極管D2的陽極，所述二極管D2的陰極通過導線接電源端子VCC，所述二極管D2的陽極通過導線接二極管D3的陰極，所述二極管D3的陽極接地，所述電源端子VCC通過電阻R1以及電容C1接地，所述比較器芯片U1A的同相輸入端通過導線和電阻R1與電容C1的連接節點相連接，所述二極管D1的陰極通過導線接MOS管Q1的漏極，所述MOS管Q1的源極接地，所述MOS管Q1的柵極第一支路引出端子M_QD，第二支路通過導線接比較器芯片U1B的同相輸入端，所述比較器芯片U1B的反相輸入端引出端子Vref2，所述比較器芯片U1A的反相輸入端引出端子Vref1，所述比較器芯片U1A的輸出端第一支路通過電阻R2接電源端子VCC，第二支路通過導線接兩輸入與非門芯片U2A的輸入端，所述比較器芯片U1B的輸出端第一支路通過電阻R3接電源端子VCC，第二支路通過導線接兩輸入與非門芯片U2A的輸入端，所述比較器芯片U1B的輸出端通過電容C2接地，所述兩輸入與非門芯片U2A的輸出端通過導線接二極管D4的陰極，所述二極管D4的陽極第一支路通過電阻R4接電源端子VCC，第二支路通過導線接兩輸入與非門芯片U2B的輸入端，所述兩輸入與非門芯片U2B的兩個輸入端通過導線相連接，所述兩輸入與非門芯片U2B的輸出端引出端子GL。

進一步地，所述比較器芯片U1的芯片型號為LM393，所述兩輸入與非門芯片U2的芯片型號為CD4093，所述MOS管Q1的芯片型號為IRF450。

本實用新型的有益效果：本實用新型的高可靠性MOS過流保護電路，本實用新型通過添加兩輸入與非門芯片U2、比較器芯片U1、二極管D1、二極管D2、二極管D3、二極管D4、電阻R1、電阻R2、電阻R3、電阻R4、電容C1、電容C2以及MOS管Q1，該設計實現了MOS過流保護的功能，解決了現有的MOS過流保護電路截止二極管反向恢復容易造成尖峰電壓損壞比較器的情況，且MOS管需要開通時間從而使得電路中存在競爭冒險的問題，本實用新型不需電流檢測電阻，動作迅速，實現了MOS過流保護的功能，電路穩定可靠。

附圖說明

通過閱讀參照以下附圖對非限制性實施例所作的詳細描述，本實用新型的其它特征、目的和優點將會變得更明顯：