[實(shí)用新型]一種基于多晶硅薄膜晶體管的X射線平板探測器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201920320929.0
• 申請日: 2019-03-14
• 公開（公告）號(hào): CN209708980U
• 公開（公告）日: 2019-11-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊志;劉一劍;陳辛未;周志華;蘇言杰;胡南滔;張亞非
• 申請（專利權(quán)）人: 上海交通大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L27/146
• 分類號(hào): H01L27/146;H01L27/12
• 代理公司: 31313 上海智晟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙)
• 代理人: 陸黎明<國際申請>=<國際公布>=<進(jìn)入

1.一種基于多晶硅薄膜晶體管的X射線平板探測器，其特征在于，包括TFT背板、傳感光電二極管矩陣面板、柵驅(qū)動(dòng)信號(hào)電路系統(tǒng)、傳感信號(hào)讀取電路系統(tǒng)、圖像信號(hào)處理電路系統(tǒng)以及外圍功能電路，其中所述TFT背板采用包含多晶硅薄膜材料的TFT背板。

2.如權(quán)利要求1所述的一種基于多晶硅薄膜晶體管的X射線平板探測器，其特征在于，所述多晶硅薄膜材料的多晶硅晶化率在30～95％之間。

3.如權(quán)利要求1所述的一種基于多晶硅薄膜晶體管的X射線平板探測器，其特征在于，所述多晶硅薄膜材料的遷移率范圍為10～200cm²/(V·s)。

4.如權(quán)利要求1所述的一種基于多晶硅薄膜晶體管的X射線平板探測器，其特征在于，所述TFT背板的開關(guān)器件為多晶硅薄膜晶體管，所述TFT背板還包含有傳感器信號(hào)數(shù)據(jù)導(dǎo)線、TFT柵極信號(hào)掃描導(dǎo)線和偏置電壓導(dǎo)線。

5.如權(quán)利要求4所述的一種基于多晶硅薄膜晶體管的X射線平板探測器，其特征在于，所述多晶硅薄膜晶體管的溝道長度在1～100μm之間，所述多晶硅薄膜材料的厚度在10nm～5μm之間。

6.如權(quán)利要求4所述的一種基于多晶硅薄膜晶體管的X射線平板探測器，其特征在于，所述開關(guān)器件的溝道層薄膜材料是直接沉積的多晶硅薄膜材料。

7.如權(quán)利要求6所述的一種基于多晶硅薄膜晶體管的X射線平板探測器，其特征在于，所述多晶硅薄膜材料由低溫工藝制得，所述低溫工藝的溫度范圍是20～450℃。

8.如權(quán)利要求6所述的一種基于多晶硅薄膜晶體管的X射線平板探測器，其特征在于，所述多晶硅薄膜材料由高溫工藝制得，所述高溫工藝的溫度范圍是450～900℃。

9.如權(quán)利要求4所述的一種基于多晶硅薄膜晶體管的X射線平板探測器，其特征在于，所述開關(guān)器件的溝道層薄膜材料是在沉積的非晶硅薄膜材料的基礎(chǔ)上，進(jìn)行多晶化技術(shù)處理后得到的多晶硅薄膜材料。