[實(shí)用新型]直拉單晶用熱屏裝置及單晶硅生產(chǎn)設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201920298048.3
• 申請日: 2019-03-08
• 公開（公告）號: CN210596314U
• 公開（公告）日: 2020-05-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊敏;白喜軍;李強(qiáng);張亮楨
• 申請（專利權(quán)）人: 寧夏隆基硅材料有限公司
• 主分類號: C30B15/14
• 分類號: C30B15/14;C30B29/06
• 代理公司: 北京潤澤恒知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11319
• 代理人: 莎日娜

1.直拉單晶用熱屏裝置，其特征在于，包括：

內(nèi)屏，用于圍繞單晶設(shè)置；

外屏，同軸設(shè)置于所述內(nèi)屏遠(yuǎn)離所述單晶的一側(cè)，所述外屏與所述內(nèi)屏連接；以及

導(dǎo)流通道，嵌設(shè)于所述內(nèi)屏與所述外屏之間，所述導(dǎo)流通道與所述內(nèi)屏連接，所述導(dǎo)流通道用于引入工作氣體。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的直拉單晶用熱屏裝置，其特征在于，所述導(dǎo)流通道包括多個(gè)導(dǎo)氣管，所述多個(gè)導(dǎo)氣管在遠(yuǎn)離所述單晶的一側(cè)圍繞所述內(nèi)屏的中心軸線等角度分布。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的直拉單晶用熱屏裝置，其特征在于，所述多個(gè)導(dǎo)氣管均與所述內(nèi)屏相貼合接觸。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的直拉單晶用熱屏裝置，其特征在于，所述導(dǎo)氣管包括：管壁以及位于所述管壁內(nèi)的導(dǎo)氣通道，引入的所述工作氣體流經(jīng)所述導(dǎo)氣通道。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的直拉單晶用熱屏裝置，其特征在于，所述管壁包括第一子管壁、第二子管壁、以及設(shè)置于所述第一子管壁和所述第二子管壁之間的冷卻夾層。

6.根據(jù)權(quán)利要求2至5中任一項(xiàng)所述的直拉單晶用熱屏裝置，其特征在于，所述導(dǎo)流通道還包括與所述多個(gè)導(dǎo)氣管相連通的多個(gè)出氣口，所述多個(gè)出氣口均與單晶生長液面相對，且圍繞所述內(nèi)屏的中心軸線等角度分布。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的直拉單晶用熱屏裝置，其特征在于，所述導(dǎo)流通道還包括與所述多個(gè)導(dǎo)氣管相連接的出氣管，所述多個(gè)出氣口均開設(shè)于所述出氣管。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的直拉單晶用熱屏裝置，其特征在于，所述出氣管與所述內(nèi)屏同軸設(shè)置，且在所述內(nèi)屏的中心軸向上、所述出氣管相較于所述內(nèi)屏和/或外屏更靠近所述單晶生長液面。

9.單晶硅生產(chǎn)設(shè)備，其特征在于，包括：

坩堝，用于容置晶體生長熔液；以及

如權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的直拉單晶用熱屏裝置，所述直拉單晶用熱屏裝置與所述坩堝同軸設(shè)置。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的單晶硅生產(chǎn)設(shè)備，其特征在于，所述單晶硅生產(chǎn)設(shè)備還包括供氣機(jī)構(gòu)，所述供氣機(jī)構(gòu)與所述直拉單晶用熱屏裝置的導(dǎo)流通道相連接。