[實用新型]單晶爐石墨坩堝提升機構(gòu)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201920294725.4 | 申請日: | 2019-03-08 |
| 公開(公告)號: | CN210085618U | 公開(公告)日: | 2020-02-18 |
| 發(fā)明(設計)人: | 曹建偉;傅林堅;胡建榮;高宇;倪軍夫;葉鋼飛;王鵬飛;吳虞超;譚慶 | 申請(專利權(quán))人: | 浙江晶盛機電股份有限公司 |
| 主分類號: | C30B15/10 | 分類號: | C30B15/10;C30B29/06 |
| 代理公司: | 杭州中成專利事務所有限公司 33212 | 代理人: | 周世駿 |
| 地址: | 312300 浙江*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 單晶爐 石墨 坩堝 提升 機構(gòu) | ||
本實用新型是關于單晶硅制備設備領域,特別涉及一種單晶爐石墨坩堝提升機構(gòu)。包括提升架;提升架為環(huán)形,沿周向均布若干通孔;旋轉(zhuǎn)機構(gòu)包括旋轉(zhuǎn)軸及鎖緊塊;旋轉(zhuǎn)軸有多根,頂部設于提升架上的通孔內(nèi),并通過墊環(huán)與鎖緊塊固定;每個旋轉(zhuǎn)軸底端均設有提升塊;鎖緊塊上端面上設有腰型槽;轉(zhuǎn)盤設于提升架上方,轉(zhuǎn)盤周向均布多個腰型孔,旋轉(zhuǎn)軸頂端設于腰型孔內(nèi);轉(zhuǎn)盤下端面設有若干導向件,導向件下端設于鎖緊件的腰型孔內(nèi),并能沿著腰型槽移動。本實用新型與手工裝卸相比,本實用新型不會對坩堝表面造成材料污染,也不必將坩堝切成三瓣,既節(jié)省人力又節(jié)省物力。
技術(shù)領域
本實用新型是關于單晶硅制備設備領域,特別涉及一種單晶爐石墨坩堝提升機構(gòu)。
背景技術(shù)
在直拉法單晶爐生產(chǎn)硅單晶的過程中,會涉及更換石墨坩堝。位于加熱器內(nèi)的石墨坩堝在更換過程中,由于坩堝外壁與加熱器內(nèi)壁距離較近,現(xiàn)有的安裝方式為將石墨坩堝切成三瓣,人工裝卸。本專利涉及的吊裝機構(gòu)可以實現(xiàn)裝夾,安放和保護石墨坩堝,并且無需將坩堝做成三瓣,既節(jié)省人力又節(jié)省物力,還能做到不讓其表面被其它材質(zhì)污染,能更方便快捷地安裝、拆卸石墨坩堝。
實用新型內(nèi)容
本實用新型要解決的技術(shù)問題是,克服現(xiàn)有技術(shù)中的不足,提供一種單晶爐石墨坩堝提升機構(gòu)。
為解決上述技術(shù)問題,本實用新型采用的解決方案是:
提供一種單晶爐石墨坩堝提升機構(gòu),包括提升架、旋轉(zhuǎn)機構(gòu)、轉(zhuǎn)盤與提升塊;
提升架為環(huán)形,沿周向均布若干通孔;
旋轉(zhuǎn)機構(gòu)包括旋轉(zhuǎn)軸及鎖緊塊;旋轉(zhuǎn)軸有多根,頂部設于提升架上的通孔內(nèi),并通過墊環(huán)與鎖緊塊固定;每個旋轉(zhuǎn)軸底端均設有提升塊;鎖緊塊上端面上設有腰型槽;
轉(zhuǎn)盤設于提升架上方,轉(zhuǎn)盤周向均布多個腰型孔,旋轉(zhuǎn)軸頂端設于腰型孔內(nèi);轉(zhuǎn)盤下端面設有若干導向件,導向件下端設于鎖緊件的腰型孔內(nèi),并能沿著腰型槽移動。
作為一種改進,旋轉(zhuǎn)軸頂部開有多邊形徑向定位臺階,用于定位鎖緊塊。
作為一種改進,轉(zhuǎn)盤下端面設有墊塊。
作為一種改進,導向件為圓柱形,通過擋圈與轉(zhuǎn)盤相連。
作為一種改進,提升架頂端設有吊環(huán)。
導向件材質(zhì)為耐磨材料;旋轉(zhuǎn)軸為碳碳復合材料,能在保證強度的情況下保護石墨坩堝外表面不與加熱器接觸,從而起到不被其他材料污染的作用;提升塊材質(zhì)為碳碳復合材料,通過螺母鎖緊,提升塊上設有安裝斜面,工作時與石墨坩堝下方的斜面貼合,從而實行很好的徑向受力平衡,以此來更穩(wěn)地承受石墨坩堝的重力。
與現(xiàn)有技術(shù)相比,本實用新型的有益效果為:
與手工裝卸相比,本實用新型不會對坩堝表面造成材料污染,也不必將坩堝切成三瓣,既節(jié)省人力又節(jié)省物力。
附圖說明
圖1為本實用新型的上視圖。
圖2為本實用新型熱場內(nèi)部工作狀態(tài)剖視圖。
圖3為本實用新型的等軸側(cè)圖。
圖中:1-提升架、2-旋轉(zhuǎn)機構(gòu)、3-轉(zhuǎn)盤、4-提升塊、5-墊塊、6-熱場、7-石墨坩堝。
具體實施方式
下面結(jié)合附圖和具體實施方式對本實用新型作進一步詳細說明:
如圖1、圖2、圖3所示的一種單晶爐石墨坩堝提升機構(gòu),包括提升架1、旋轉(zhuǎn)機構(gòu) 2、轉(zhuǎn)盤3與提升塊4;
提升架1為環(huán)形,沿周向均布若干通孔;
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