[實(shí)用新型]一種光電二極管有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201920293851.8 | 申請日： | 2019-03-07 |
| 公開（公告）號： | CN209282210U | 公開（公告）日： | 2019-08-20 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 曾瑩;阮文彪 | 申請（專利權(quán)）人： | 地太科特電子制造（北京）有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/02 | 分類號： | H01L31/02;H01L31/115;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京安信方達(dá)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11262 | 代理人： | 蔣冬梅;栗若木 |
| 地址： | 100176 北京市大興區(qū)北京經(jīng)*** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 襯底 直通孔 光電二極管 陰極 陽極 背面 穿透 光電轉(zhuǎn)換 快速響應(yīng) 量子效率 申請 | ||
1.一種光電二極管，其特征在于，包括：陽極、陰極、襯底、第一直通孔以及第二直通孔，所述陽極和所述陰極設(shè)置在所述襯底的正面，所述第一直通孔穿透所述襯底，將所述陽極引到所述襯底的背面，所述第二直通孔穿透所述襯底，將所述陰極引到所述襯底的背面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電二極管，其特征在于，在所述第一直通孔和所述第二直通孔內(nèi)，分別沿孔中心向外依次填充有填充層、電性連接層以及隔離層；所述第一直通孔的電性連接層連接所述陽極，所述第二直通孔的電性連接層連接所述陰極。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電二極管，其特征在于，所述襯底包括：襯底層、第一型摻雜區(qū)以及第二型摻雜區(qū)；所述陽極包括第一金屬件，所述陰極包括第二金屬件，所述第一型摻雜區(qū)的表面連接所述第一金屬件，所述第二型摻雜區(qū)的表面連接所述第二金屬件。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的光電二極管，其特征在于，所述襯底層為N型襯底層，所述第一型摻雜區(qū)為P型摻雜區(qū)，所述第二型摻雜區(qū)為N型摻雜區(qū)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電二極管，其特征在于，所述光電二極管還包括：第一保護(hù)層，所述第一保護(hù)層覆蓋所述襯底的正面、所述陰極以及所述陽極。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電二極管，其特征在于，所述光電二極管還包括：第一金屬片和第二金屬片，所述第一金屬片和所述第二金屬片設(shè)置在所述襯底的背面，所述第一金屬片通過所述第一直通孔連接所述陽極，所述第二金屬片通過所述第二直通孔連接所述陰極。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的光電二極管，其特征在于，所述光電二極管還包括：第二保護(hù)層，所述第二保護(hù)層覆蓋所述襯底的背面、所述第一金屬片的一部分以及所述第二金屬片的一部分。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于地太科特電子制造（北京）有限公司，未經(jīng)地太科特電子制造（北京）有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201920293851.8/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇：半導(dǎo)體器件
- 下一篇：電池鈍化膜開模圖形、太陽能電池以及太陽能組件
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個(gè)或多個(gè)電光源，如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
