[實用新型]一種高效率電流檢測和限流功能的保護電路有效
| 申請號: | 201920293299.2 | 申請日: | 2019-03-07 |
| 公開(公告)號: | CN209709677U | 公開(公告)日: | 2019-11-29 |
| 發明(設計)人: | 姚和平;支知淵;宋苗;閆苗苗 | 申請(專利權)人: | 上海長園維安電子線路保護有限公司 |
| 主分類號: | H02H9/02 | 分類號: | H02H9/02;H02H1/00 |
| 代理公司: | 31298 上海諾衣知識產權代理事務所(普通合伙) | 代理人: | 衣然<國際申請>=<國際公布>=<進入國 |
| 地址: | 201202 上海市*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電路 本實用新型 電阻 限流 電流檢測電路 運算放大器 傳輸電流 電流檢測 反饋調節 恒定電流 基準電流 偏置電流 外界負載 輸出 高效率 電容 短路 漏端 重載 芯片 | ||
1.一種高效率電流檢測和限流功能的保護電路,其特征在于,所述保護電路包括第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2、第三NMOS管MN3、第四NMOS管MN4、第五NMOS管MN5、第六NMOS管MN6、第七NMOS管MN7、第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、第三PMOS管MP3、第四PMOS管MP4、第五PMOS管MP5、第六PMOS管MP6、第一電阻R1、第二電阻RL、第一電容C1、第一運算放大器EA1。
2.根據權利要求1所述的高效率電流檢測和限流功能的保護電路,其特征在于,第一NMOS管(MN1)的漏極連接基準電流IREF、第一NMOS管柵極和第三NMOS管(MN3)柵極;第一NMOS管源極連接第二NMOS管(MN2)的漏極和柵極、第四NMOS管(MN4)柵極、第六NMOS管(MN6)柵極和第一電容C1的正相端;第一NMOS管襯底接地(GND);第二NMOS管(MN2)源極和襯底接地;第一電容C1負相端接地;第三NMOS管(MN3)漏極連接第一PMOS管(MP1)的柵極和漏極,并與第二PMOS管(MP2)的柵極連接;第三NMOS管源極與第四NMOS管(MN4)漏極連接;第三NMOS管襯底、第四NMOS管源極和襯底均接地;第五NMOS管(MN5)柵極連接第七NMOS管(MN7)的柵極和漏極、第六PMOS管(MP6)的漏極;第五NMOS管漏極連接第二PMOS管(MP2)漏極和第三PMOS管(MP3)的柵極;第五NMOS管、第六NMOS管和第七NMOS管的源極和襯底均接地;第六NMOS管漏極連接第三PMOS管漏極、第四PMOS管(MP4)柵極和第五PMOS管(MP5)的柵極;第一電阻(R1)一端連接第四PMOS管的漏極,一端連接第六PMOS管的源極和襯底、第一誤差放大器(EA1)的負相端;第一誤差放大器輸出連接至第六PMOS管柵極;第三PMOS管(MP3)和第一、第二PMOS管的源極和襯底均接VDD;第四PMOS管和第五PMOS管的源極均接IN,襯底均接VDD;輸出端OUT接第五PMOS管的漏極、第一誤差放大器的正相端和第二電阻(RL)的一端;第二電阻(RL)的另一端接地。
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