[實用新型]IGBT結構

有效

• 申請號: 201920293241.8
• 申請日: 2019-03-07
• 公開（公告）號: CN209357714U
• 公開（公告）日: 2019-09-06
• 發明（設計）人: 張寧;王華東
• 申請（專利權）人: 上海希形科技有限公司
• 主分類號: H01L23/367
• 分類號: H01L23/367;H01L23/40;H01L29/739
• 代理公司: 上海段和段律師事務所 31334
• 代理人: 龔子嵐;郭國中

本實用新型IGBT結構，包括散熱結構以及設置在所述散熱結構上的IGBT模組；其中所述IGBT模組包括：鋁基板，所述鋁基板設置在所述散熱結構上；功率板，所述功率板設置在所述鋁基板上方；驅動中板，所述驅動中板設置在所述功率板上方；IGBT，所述IGBT設置在所述鋁基板上，所述IGBT位于所述鋁基板與所述之間，所述IGBT的管腳分別與所述功率板及所述驅動中板連接；驅動頂板，所述驅動頂板通過排針固定在所述驅動中板的上方。與現有技術相比，本實用新型具有如下的有益效果：1)線性排列的結構使得結構層次分明，提高空間的利用率，避免了空間資源的浪費。2)充分利用IGBT單管的散熱面積，使IGBT單管產生的熱量及時出。3)絕緣墊片的使用增強了IGBT模組的可靠性能。

技術領域

本實用新型涉及電力電子領域，具體涉及到一種IGBT結構。

背景技術

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

IGBT模塊是由IGBT(絕緣柵雙極型晶體管芯片)與FWD(續流二極管芯片)通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導體產品；封裝后的IGBT模塊直接應用于變頻器、UPS不間斷電源等設備上。

IGBT作為廣泛運用于各種電力電子設備上的一種復合全控型電壓驅動式功率半導體元器件，人們對IGBT的性能要求也越來越高。IGBT承載更大電流的同時，它產生的熱量也越來越大。因此IGBT的散熱及電器連接方法顯得尤為重要。

實用新型內容

針對現有技術中的缺陷，本實用新型的目的是提供一種IGBT結構。

為解決上述技術問題，本實用新型IGBT結構，包括散熱結構以及設置在所述散熱結構上的IGBT模組；其中所述IGBT模組包括：鋁基板，所述鋁基板設置在所述散熱結構上；功率板，所述功率板設置在所述鋁基板上方；驅動中板，所述驅動中板設置在所述功率板上方；IGBT，所述IGBT設置在所述鋁基板上，所述IGBT位于所述鋁基板與所述之間，所述IGBT的管腳分別與所述功率板及所述驅動中板連接；驅動頂板，所述驅動頂板通過排針固定在所述驅動中板的上方。

優選地，所述IGBT的強電管腳與所述功率板連接。

優選地，所述IGBT的弱電管腳與所述驅動中板連接。

優選地，在所述鋁基板與所述散熱結構之間設有導熱膏。

優選地，所述鋁基板通過螺釘固定在所述散熱結構上。

優選地，在所述鋁基板與所述螺釘之間設有絕緣墊片。

優選地，在所述功率板上設有功率連接板。

優選地，在所述功率板上設有繼電器板。

優選地，在所述功率板通過貼片螺母與所述繼電器板連接。

優選地，所述IGBT模組的數量為多個，多個所述IGBT模組間隔設置。

與現有技術相比，本實用新型具有如下的有益效果：

1)線性排列的結構使得結構層次分明，提高空間的利用率，避免了空間資源的浪費。

2)充分利用IGBT單管的散熱面積，使IGBT單管產生的熱量及時出。

3)絕緣墊片的使用增強了IGBT模組的可靠性能。