[實用新型]一種分離柵MOSFET器件有效

申請號：	201920291615.2	申請日：	2019-03-08
公開（公告）號：	CN209515675U	公開（公告）日：	2019-10-18
發明（設計）人：	原小明	申請（專利權）人：	南京江智科技有限公司
主分類號：	H01L29/78	分類號：	H01L29/78;H01L21/336
代理公司：	江蘇樓沈律師事務所 32254	代理人：	呂欣
地址：	210000 江蘇省南京市***	國省代碼：	江蘇;32
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摘要：
搜索關鍵詞：	本實用新型多晶硅分離柵絕緣層工藝制造成本工藝可靠性工藝窗口耐壓能力專利工藝第一層復雜度光刻量產豎向制造
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【權利要求書】：

1.一種分離柵MOSFET器件，其特征在于：襯底上形成有外延層，外延層頂面上設置有第一溝槽，第一溝槽的底面及側面上形成有第一氧化層，第一氧化層的表面淀積有第一層多晶硅，第一層多晶硅中設置有第二溝槽、第三溝槽，第二溝槽、第三溝槽的底面及側面上形成有第二氧化層，第二氧化層的表面淀積有第二層多晶硅，在位于襯底頂部第一溝槽的兩側從上往下依次設置有N+，P-Body。

2.根據權利要求1所述的器件，其特征在于：第一層多晶硅將第一溝槽完全填充滿。

3.根據權利要求1所述的器件，其特征在于：第二層多晶硅將第二溝槽、第三溝槽完全填充滿。

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