[實用新型]一種三維錐形納米層膜結構有效
| 申請號： | 201920284088.2 | 申請日： | 2019-03-06 |
| 公開（公告）號： | CN209836290U | 公開（公告）日： | 2019-12-24 |
| 發明（設計）人： | 蔡博淵;孔阿茹;石鵬;劉民航;褚憲薇;袁小聰 | 申請（專利權）人： | 深圳大學 |
| 主分類號： | C23C14/30 | 分類號： | C23C14/30;C23C14/58;C23C14/16;C23C14/08;C23C14/10;B82Y40/00;B82Y30/00;F25B23/00 |
| 代理公司： | 44528 深圳中細軟知識產權代理有限公司 | 代理人： | 安秀梅 |
| 地址： | 518061 廣東省深圳市南山區南*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 本實用新型 二氧化硅 二氧化鉿 復合層 膜結構 納米層 三維 輻射冷卻 銀層 新能源技術開發 二氧化硅層 二氧化鉿層 大氣輻射 技術缺陷 高效率 雙窗口 冷卻 引入 | ||
【權利要求書】：
1.一種三維錐形納米層膜結構，其特征在于，所述三維錐形納米層膜結構為：二氧化硅-二氧化鉿復合層以及銀層，二氧化硅層設置于二氧化鉿層的上方；
所述二氧化硅-二氧化鉿復合層的數量大于10層，所述銀層的上方設置有若干層所述二氧化硅-二氧化鉿復合層。
2.根據權利要求1所述的三維錐形納米層膜結構，其特征在于，所述銀層的厚度為120nm～200nm。
3.根據權利要求1所述的三維錐形納米層膜結構，其特征在于，所述二氧化硅層的厚度為1.8μm～2.0μm。
4.根據權利要求1所述的三維錐形納米層膜結構，其特征在于，所述二氧化鉿層的厚度為150nm～200nm。
5.根據權利要求1所述的三維錐形納米層膜結構，其特征在于，所述三維錐形納米層膜結構的底部寬度為10μm～11μm，所述三維錐形納米層膜結構的頂部寬度為1.5μm～2μm。
6.根據權利要求1所述的三維錐形納米層膜結構，其特征在于，所述三維錐形納米層膜結構還包括：基片層，所述基片層設置于所述銀層的下部，所述基片層為硅片層。
7.根據權利要求1所述的三維錐形納米層膜結構，其特征在于，相鄰所述三維錐形納米層膜結構的間距與單個三維錐形納米層膜結構的底部寬度相同。
8.根據權利要求1所述的三維錐形納米層膜結構，其特征在于，所述二氧化硅-二氧化鉿復合層的數量為10～20層。
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