[實(shí)用新型]具量子點(diǎn)的像素基板有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201920275762.0 | 申請(qǐng)日: | 2019-03-05 |
| 公開(公告)號(hào): | CN209401630U | 公開(公告)日: | 2019-09-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 許銘案;林佳慧;許睿哲 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 恒煦電子材料股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/32 | 分類號(hào): | H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京匯澤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11228 | 代理人: | 劉淑敏 |
| 地址: | 中國(guó)臺(tái)灣新竹*** | 國(guó)省代碼: | 中國(guó)臺(tái)灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 量子點(diǎn) 透明基板 像素基板 像素空間 黑矩陣層 負(fù)型光阻材料 本實(shí)用新型 技術(shù)功效 碗狀結(jié)構(gòu) 倒梯形 膠層 良率 像素 制程 制作 灌注 硬化 簡(jiǎn)易 進(jìn)程 生產(chǎn) | ||
1.一種具量子點(diǎn)的像素基板,其特征在于,包含:
一透明基板;
一黑矩陣層,形成于該透明基板的表面,定義多個(gè)像素空間;
多個(gè)量子點(diǎn)膠層,分別形成于該像素空間中;及
其中,該黑矩陣層由負(fù)型光阻材料硬化制作而成,且該黑矩陣層與該透明基板形成一小于90度的夾角,而使該多個(gè)像素空間構(gòu)成一倒梯形的碗狀結(jié)構(gòu)。
2.如權(quán)利要求1所述的具量子點(diǎn)的像素基板,其特征在于,該黑矩陣層的厚度介于1.5um至10um之間。
3.如權(quán)利要求1所述的具量子點(diǎn)的像素基板,其特征在于,該黑矩陣層的厚度介于10um至20um之間。
4.如權(quán)利要求1所述的具量子點(diǎn)的像素基板,其特征在于,該夾角的角度介于45度至90度之間。
5.如權(quán)利要求1所述的具量子點(diǎn)的像素基板,其特征在于,該夾角的角度介于60度至85度之間。
6.如權(quán)利要求2或3所述的具量子點(diǎn)的像素基板,其特征在于,該多個(gè)量子點(diǎn)膠層的厚度小于該黑矩陣層,且介于1um至15um之間。
7.如權(quán)利要求2或3所述的具量子點(diǎn)的像素基板,其特征在于,該多個(gè)量子點(diǎn)膠層的厚度小于該黑矩陣層,且介于1um至9um之間。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





