[實用新型]GaN基高電子遷移率晶體管外延片

有效

• 申請號: 201920258319.2
• 申請日: 2019-02-28
• 公開（公告）號: CN209561413U
• 公開（公告）日: 2019-10-29
• 發明（設計）人: 丁濤;周飚;胡加輝;李鵬
• 申請（專利權）人: 華燦光電（蘇州）有限公司
• 主分類號: H01L29/26
• 分類號: H01L29/26;H01L29/778
• 代理公司: 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138
• 代理人: 徐立

1.一種GaN基高電子遷移率晶體管外延片，其特征在于，所述高電子遷移率晶體管外延片包括：

襯底、在所述襯底上順次沉積的石墨烯層、金屬納米粒子層、三維形核層、緩沖層、GaN溝道層、AlGaN勢壘層、以及GaN帽層，所述金屬納米粒子層包括若干位于所述石墨烯層上的金屬納米粒子、且各個所述金屬納米粒子均與所述石墨烯層接觸，所述金屬納米粒子的直徑為1～20nm，相鄰所述金屬納米粒子之間存在間隙。

2.根據權利要求1所述的外延片，其特征在于，所述石墨烯層的厚度為1～10nm。

3.根據權利要求1所述的外延片，其特征在于，相鄰所述金屬納米粒子之間的距離為1～20nm。

4.根據權利要求3所述的外延片，其特征在于，所述金屬納米粒子層為Ag納米粒子層、Au納米粒子層、In納米粒子層和Al納米粒子層中的任何一種。

5.根據權利要求1所述的外延片，其特征在于，所述高電子遷移率晶體管外延片還包括金屬膜層，所述金屬膜層位于所述石墨烯層與所述金屬納米粒子層之間，所述金屬膜層包括若干位于所述石墨烯層上的金屬島、且各個所述金屬島均與所述石墨烯層接觸，包圍所述金屬島的橫截面、且面積最小的圓的直徑為500～1500nm，相鄰所述金屬島之間存在間隙，所述金屬納米粒子位于相鄰所述金屬島之間的石墨烯層上，所述金屬納米粒子層還包括若干位于所述金屬島上的金屬納米粒子。

6.根據權利要求5所述的外延片，其特征在于，所述相鄰金屬島之間的距離為10～100nm。

7.根據權利要求6所述的外延片，其特征在于，所述金屬島的高度為500～1500nm。

8.根據權利要求5所述的外延片，其特征在于，所述金屬膜層為Ag膜層、Au膜層、In膜層和Al膜層中的任何一種。

9.根據權利要求1-8中任一項所述的外延片，其特征在于，所述三維形核層為AlN層，所述三維形核層的厚度為10～50nm。

10.根據權利要求1-8中任一項所述的外延片，其特征在于，所述襯底為碳化硅、藍寶石以及單晶硅襯底中的任何一種。