[實用新型]一種低功耗的二極管芯片結構

有效

• 申請號: 201920255195.2
• 申請日: 2019-02-28
• 公開（公告）號: CN209471970U
• 公開（公告）日: 2019-10-08
• 發明（設計）人: 王民安;馬霖;王日新;鄭春鳴;全美淑;謝富強;王志亮;董蕊;岳春艷;戴永霞;倪小蘭;汪杏娟;胡麗娟;黃永輝;項建輝;陳明;曹紅軍
• 申請（專利權）人: 安徽省祁門縣黃山電器有限責任公司
• 主分類號: H01L29/861
• 分類號: H01L29/861;H01L29/06
• 代理公司: 蕪湖眾匯知識產權代理事務所(普通合伙) 34128
• 代理人: 談志成

1.一種低功耗的二極管芯片結構，包括長基區N，設置在長基區N下方的陽極區P，其特征在于：所述長基區N的外側設置有一圈P型隔離層，所述P型隔離層的下方與陽極區P相連。

2.如權利要求1所述的低功耗的二極管芯片結構，其特征在于：所述P型隔離層的外側還設置有P+緩沖阻擋層。

3.如權利要求1所述的低功耗的二極管芯片結構，其特征在于：所述陽極區P上至少設置有一圈第一盲孔或第一刻蝕槽，第一盲孔或第一刻蝕槽一直延伸至P型隔離層內。

4.如權利要求2所述的低功耗的二極管芯片結構，其特征在于：所述陽極區P上至少設置有一圈第一盲孔或第一刻蝕槽，第一盲孔或第一刻蝕槽一直延伸至P型隔離層內；所述陽極區P上還至少設置有一圈第二盲孔或第二刻蝕槽，第二盲孔或第二刻蝕槽一直延伸至P+緩沖阻擋層內且第二盲孔或第二刻蝕槽的深度大于第一盲孔或第一刻蝕槽。

5.如權利要求4所述的低功耗的二極管芯片結構，其特征在于：所述第二盲孔或第二刻蝕槽設置在陽極區P和P+緩沖阻擋層內部。

6.如權利要求4所述的低功耗的二極管芯片結構，其特征在于：所述第二刻蝕槽設置在陽極區P和P+緩沖阻擋層的側邊緣上，相鄰兩二極管芯片共用一個第二刻蝕槽。

7.如權利要求2所述的低功耗的二極管芯片結構，其特征在于：二極管芯片的側邊緣從所述陽極區P的底部向上延伸設置有一圈臺階凹槽。

8.如權利要求3或4所述的低功耗的二極管芯片結構，其特征在于：所述第一盲孔和第二盲孔為激光孔或刻蝕孔。