[實(shí)用新型]一種半導(dǎo)體發(fā)光元件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201920242200.6
• 申請(qǐng)日: 2019-02-26
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN209374473U
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-09-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蔡景元;蒙成;郭桓邵;吳俊毅
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 天津三安光電有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/02
• 分類號(hào): H01L33/02;H01L33/06;H01L33/30;H01L33/36
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

一種半導(dǎo)體發(fā)光元件，其包括半導(dǎo)體發(fā)光序列，半導(dǎo)體發(fā)光序列包括第一類型導(dǎo)電性半導(dǎo)體層、第二類型導(dǎo)電性半導(dǎo)體層和兩者之間的發(fā)光層；具有與第一類型導(dǎo)電性半導(dǎo)體層電性連接的第一電極，與第二類型導(dǎo)電性半導(dǎo)體層電性連接的第二電極；其中第一類型導(dǎo)電性半導(dǎo)體層位于出光側(cè)，所述第一類型導(dǎo)電性半導(dǎo)體層包括鋁鎵銦磷窗口層，鋁鎵銦磷窗口層作為第一電極接觸的歐姆接觸層并提供出光表面。

技術(shù)領(lǐng)域

涉及一種具有透明窗口層和歐姆接觸層的半導(dǎo)體發(fā)光元件。

背景技術(shù)

在LED領(lǐng)域中，隨著顯示應(yīng)用領(lǐng)域的需求，一種將原本發(fā)光二極體晶片的尺寸減小而獲得的微型發(fā)光二極體(micro-LED)的新技術(shù)發(fā)展出來(lái)。當(dāng)應(yīng)用于在顯示技術(shù)的領(lǐng)域中，以紅、藍(lán)、綠的微型發(fā)光二極體晶片當(dāng)作顯示子像素，將這些多個(gè)可獨(dú)立發(fā)光的微型發(fā)光二極體晶片排列成顯示畫(huà)面的顯示技術(shù)，即為微型發(fā)光二極體顯示器的技術(shù)。

但是傳統(tǒng)的大尺寸的紅光或四元發(fā)光二極管，砷化鎵常作為N側(cè)電極窗口層或磷化鎵作為P側(cè)窗口層在出光側(cè)會(huì)吸光，導(dǎo)致光損失，并且隨著尺寸的降低這種吸光效應(yīng)對(duì)于發(fā)光效率的影響更嚴(yán)重。

實(shí)用新型內(nèi)容

為了降低吸光效率，提高出光效率，本實(shí)用新型提供如下一種半導(dǎo)體發(fā)光元件，其包括半導(dǎo)體發(fā)光序列，半導(dǎo)體發(fā)光序列包括第一類型導(dǎo)電性半導(dǎo)體層、第二類型導(dǎo)電性半導(dǎo)體層和兩者之間的發(fā)光層；具有與第一類型導(dǎo)電性半導(dǎo)體層電性連接的第一電極，與第二類型導(dǎo)電性半導(dǎo)體層電性連接的第二電極；

其中第一類型導(dǎo)電性半導(dǎo)體層位于出光側(cè)，所述第一類型導(dǎo)電性半導(dǎo)體層包括窗口層，所述的窗口層為鋁鎵銦磷，窗口層作為第一電極接觸的歐姆接觸層并提供出光表面。

更優(yōu)選，所述的窗口層為鋁鎵銦磷，窗口層鋁鎵銦磷為Alx1Ga(1-x1)InP，x1的取值介于0.5~1。

更優(yōu)選，所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件的第一電極和第二電極在同側(cè)或相反側(cè)。

更優(yōu)選，所述的出光側(cè)與第一電極同側(cè)或相反側(cè)。

更優(yōu)選，所述的窗口層Alx1Ga(1-x1)InP，x1的取值介于0.6~0.8。

更優(yōu)選的，窗口層為出光側(cè)最外層，表面可被不平整處理。

更優(yōu)選的，所述的窗口層的厚度為2~6μm。

更優(yōu)選的，窗口層的摻雜濃度是在厚度方向上均勻或不均勻的。

更優(yōu)選的，所述的半導(dǎo)體發(fā)光序列的尺寸介于0~100μm。

更優(yōu)選的，所述半導(dǎo)體發(fā)光元件的一側(cè)具有透明永久襯底。

更優(yōu)選的，所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件的半導(dǎo)體發(fā)光序列的尺寸介于100~300μm。

更優(yōu)選的，所述的窗口層的摻雜濃度為1E18以上。

更優(yōu)選的，透明永久襯底與窗口層之間具有透明鍵合層。

更優(yōu)選的，透明鍵合層為導(dǎo)電氧化物或絕緣層，絕緣層為氮化物或氧化物。

更優(yōu)選的，所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件的發(fā)光波長(zhǎng)為550~950nm。

更優(yōu)選的，其中第一類型導(dǎo)電性半導(dǎo)體層或第二類型導(dǎo)電性半導(dǎo)體層為N型或P型摻雜中任意一種。

更優(yōu)選的，第一電極包括與窗口層接觸并擴(kuò)散至窗口層的金屬，該金屬在窗口層一側(cè)的厚度為1~50nm。

更優(yōu)選的，第一電極與窗口層接觸并擴(kuò)散至窗口層的金屬為金，該金屬在窗口層一側(cè)的厚度為5~20nm。

更優(yōu)選的，其中第二類型導(dǎo)電性半導(dǎo)體層包括另一窗口層與第二電極接觸；所述的另一窗口層為Alx2Ga(1-x2)InP，x2的取值介于0.5~1。