[實用新型]薄膜結構半導體器件光電隔離結構

有效

• 申請號: 201920241318.7
• 申請日: 2019-02-26
• 公開（公告）號: CN209859966U
• 公開（公告）日: 2019-12-27
• 發明（設計）人: 郝茂盛;張楠;袁根如
• 申請（專利權）人: 上海芯元基半導體科技有限公司
• 主分類號: H01L33/20
• 分類號: H01L33/20;H01L33/08;H01L33/44;H01L33/46;H01L33/00
• 代理公司: 31219 上海光華專利事務所(普通合伙)
• 代理人: 余明偉

1.一種薄膜結構半導體器件光電隔離結構，其特征在于，包括：

鍵合基板；

金屬鍵合層，位于所述鍵合基板的表面；及

LED芯片，經由所述金屬鍵合層鍵合于所述鍵合基板上；所述LED芯片包括：

反射鏡層，位于所述金屬鍵合層遠離所述鍵合基板的表面；

半導體發光材料層，位于所述反射鏡層遠離所述金屬鍵合層的一側；

光電隔離層，位于所述反射鏡層遠離所述金屬鍵合層的表面，所述光電隔離層為環形隔離層，以將所述LED芯片分割為發光區域及孤島區域；其中，所述發光區域位于所述光電隔離層的內側，所述孤島區域位于所述光電隔離層外圍；所述光電隔離層將位于所述發光區域內的所述半導體發光材料層與所述金屬鍵合層電隔離；

歐姆接觸層，位于所述發光區域內，且位于所述半導體發光材料層與所述反射鏡層之間；

電極，位于所述發光區域內的所述半導體發光材料層遠離所述歐姆接觸層的表面。

2.根據權利要求1所述的薄膜結構半導體器件光電隔離結構，其特征在于：所述光電隔離層包括水平部及自所述水平部兩端向所述水平部兩側延伸的傾斜側壁部，所述傾斜側壁部與所述水平部一體連接，且自所述水平部向所述金屬鍵合層延伸。

3.根據權利要求2所述的薄膜結構半導體器件光電隔離結構，其特征在于：所述傾斜側壁部的傾斜角度小于等于45°，所述傾斜側壁部的高度大于2微米，所述水平部的寬度大于1微米。

4.根據權利要求1所述的薄膜結構半導體器件光電隔離結構，其特征在于：所述光電隔離層的材料層包括氮化硅、二氧化硅及氧化鈦中的至少一種；所述光電隔離層的厚度為2000?！?μm。

5.根據權利要求1所述的薄膜結構半導體器件光電隔離結構，其特征在于：所述歐姆接觸層包括透明導電層或鎳金導電層，所述歐姆接觸層的厚度為200埃～1000埃；所述金屬鍵合層包括金鍵合層、錫鍵合層、鎳鍵合層、金錫合金鍵合層或鎳錫合金鍵合層。

6.根據權利要求1所述的薄膜結構半導體器件光電隔離結構，其特征在于：所述鍵合基板包括導電基板或導光基板。

7.根據權利要求1所述的薄膜結構半導體器件光電隔離結構，其特征在于：所述半導體發光材料層位于所述發光區域、所述孤島區域及所述電隔離層的部分表面，且至少位于所述發光區域內的所述半導體發光材料層的厚度不大于所述電隔離層的高度。

8.根據權利要求1所述的薄膜結構半導體器件光電隔離結構，其特征在于：所述半導體發光材料層位于所述發光區域及所述電隔離層的部分表面，且所述發光區域內的所述半導體發光材料層的厚度不大于所述電隔離層的高度。

9.根據權利要求1所述的薄膜結構半導體器件光電隔離結構，其特征在于：所述半導體發光材料層位于所述發光區域及所述電隔離層的部分表面。