[實(shí)用新型]一種冷銫原子束源有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201920240891.6 | 申請日: | 2019-02-26 |
| 公開(公告)號: | CN210016681U | 公開(公告)日: | 2020-02-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 謝偉濱;陳徐宗;齊向暉;王青;賀軒;方聲偉;陳楠 | 申請(專利權(quán))人: | 北京大學(xué) |
| 主分類號: | H05H3/02 | 分類號: | H05H3/02;G04F5/14 |
| 代理公司: | 11200 北京君尚知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人: | 司立彬 |
| 地址: | 100871 北*** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 冷原子團(tuán) 磁光阱 真空腔 二維 冷卻 銫原子束 亥姆霍茲線圈 本實(shí)用新型 垂直的 泄漏光 原子鐘 光頻 激光 應(yīng)用 | ||
1.一種冷銫原子束源,其特征在于,包括一真空腔(7),該真空腔(7)內(nèi)設(shè)置一冷原子團(tuán)(13);其中,
該真空腔(7)沿y方向的兩外側(cè)設(shè)置多個三棱鏡(17)并在其中一外側(cè)設(shè)置一背面鍍高反膜的λ/4波片(12),用于對y方向上的入射激光(15)經(jīng)過多個三棱鏡(17)的反射到達(dá)背面鍍高反膜的λ/4波片(12)上反射后經(jīng)原路返回,在y方向冷卻冷原子團(tuán)(13)中的原子;
該真空腔(7)沿x方向的兩外側(cè)設(shè)置多個第二三棱鏡(19)并在其中一外側(cè)設(shè)置一背面鍍高反膜的λ/4波片(20),用于對x方向上的第二入射激光(18)經(jīng)過多個第二三棱鏡(19)的多次反射,到達(dá)第二背面鍍高反膜的λ/4波片(20)上反射后經(jīng)原路返回,在x方向冷卻冷原子團(tuán)(13)中的原子;
兩對矩形反亥姆霍茲線圈,即第一對反亥姆霍茲線圈(6)與第二對反亥姆霍茲線圈(11),用于從x、y方向囚禁冷原子團(tuán)(13)中的原子;入射激光(15)、第二入射激光(18)和該兩對反亥姆霍茲線圈在該真空腔(7)中形成二維磁光阱;
該真空腔(7)的z方向內(nèi)側(cè)設(shè)置一具有銫原子束出口(8)且背面鍍高反膜的λ/4波片(9),用于當(dāng)冷卻光(10)在z方向入射到該λ/4波片(9)上,反射后經(jīng)原路返回,形成對射,從而在z方向上冷卻原子;
該銫原子束出口(8)作為冷銫原子束輸出端口,用于沿z方向入射的推射光(16)將冷原子團(tuán)(13)中的原子從該銫原子束出口(8)處推出,形成冷銫原子束(14);其中,x方向、y方向和z方向是相互垂直的三個方向。
2.如權(quán)利要求1所述的冷銫原子束源,其特征在于,兩對矩形反亥姆霍茲線圈,即第一對反亥姆霍茲線圈(6)與第二對反亥姆霍茲線圈(11),以冷原子團(tuán)(13)為中心對稱放置。
3.如權(quán)利要求1所述的冷銫原子束源,其特征在于,所述真空腔(7)為帶玻璃窗的真空腔。
4.如權(quán)利要求1所述的冷銫原子束源,其特征在于,所述推射光(16)的功率為50uW。
5.如權(quán)利要求1所述的冷銫原子束源,其特征在于,所述冷卻光(10)為環(huán)形中空冷卻光。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于北京大學(xué),未經(jīng)北京大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201920240891.6/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:三陽極等離子炬引弧電源
- 下一篇:一種多層鋁基板





