[實用新型]一種提高PECVD設(shè)備抽真空效率的裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201920208490.2 | 申請日： | 2019-02-18 |
| 公開（公告）號： | CN209537624U | 公開（公告）日： | 2019-10-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 楊福年;鄭錫文 | 申請（專利權(quán)）人： | 東莞市和域戰(zhàn)士納米科技有限公司 |
| 主分類號： | C23C16/513 | 分類號： | C23C16/513;C23C16/54 |
| 代理公司： | 深圳市智圈知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44351 | 代理人： | 韓紹君 |
| 地址： | 523000 廣東省*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 殼體 抽真空效率 本實用新型 冷凝盤管 蓋板 進氣管 排液管 真空泵 加熱器 底部連接 降溫結(jié)晶 外側(cè)設(shè)置 真空倉體 出氣管 結(jié)晶物 進氣閥 排液閥 抽出 體內(nèi) 保證 | ||
1.一種提高PECVD設(shè)備抽真空效率的裝置，包括殼體和設(shè)置在殼體上的蓋板，其特征在于，殼體的外側(cè)設(shè)置有冷凝盤管，殼體內(nèi)的底部設(shè)置有加熱器；所述蓋板還設(shè)置有一根進氣管和出氣管，殼體底部連接有一根排液管；進氣管和出氣管均插入殼體內(nèi)，且進氣管的底端低于出氣管的底端；所述進氣管上連接有進氣閥，排液管上設(shè)置有排液閥。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高PECVD設(shè)備抽真空效率的裝置，其特征在于，所述進氣閥的進口端連接有兩根進氣支管。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高PECVD設(shè)備抽真空效率的裝置，其特征在于，所述進氣閥為比例閥。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高PECVD設(shè)備抽真空效率的裝置，其特征在于，所述蓋板或殼體上還設(shè)置有一根氮氣管。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高PECVD設(shè)備抽真空效率的裝置，其特征在于，所述加熱器為加熱棒。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高PECVD設(shè)備抽真空效率的裝置，其特征在于，所述進氣管向下穿過蓋板，進氣管的底端距離殼體內(nèi)側(cè)底面的距離為20～30mm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高PECVD設(shè)備抽真空效率的裝置，其特征在于，所述出氣管向下穿過蓋板，出氣管的底端與蓋板的下表面平齊。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高PECVD設(shè)備抽真空效率的裝置，其特征在于，所述殼體由不銹鋼制成。
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C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆，例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上，例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的
