[實(shí)用新型]一種提高重?fù)戒R硅單晶氧含量的生產(chǎn)設(shè)備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201920204924.1 | 申請日: | 2019-02-18 |
| 公開(公告)號: | CN209555404U | 公開(公告)日: | 2019-10-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張向東;王林;沈順華;毛榮昌;俞順根 | 申請(專利權(quán))人: | 衢州晶哲電子材料有限公司 |
| 主分類號: | C30B15/10 | 分類號: | C30B15/10;C30B29/06;C30B15/14 |
| 代理公司: | 衢州維創(chuàng)維邦專利代理事務(wù)所(普通合伙) 33282 | 代理人: | 劉奇 |
| 地址: | 324022 浙江省*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 重?fù)戒R硅單晶 生產(chǎn)設(shè)備 單晶爐 溫度穩(wěn)定裝置 本實(shí)用新型 熱氣 裝料 多晶硅料 排氣裝置 石英坩堝 添加材料 控制柜 石英環(huán) 排出 熔料 外設(shè) 成型 回收 生產(chǎn) | ||
1.一種提高重?fù)戒R硅單晶氧含量的生產(chǎn)設(shè)備,其特征在于:包括用于裝料的石英坩堝、用于晶體成型的單晶爐、用于回收熔料時(shí)產(chǎn)生熱氣的溫度穩(wěn)定裝置以及用于控制上述三者的控制柜;所述單晶爐外設(shè)有用于將溫度穩(wěn)定裝置內(nèi)部的熱氣向單晶爐內(nèi)排出的排氣裝置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提高重?fù)戒R硅單晶氧含量的生產(chǎn)設(shè)備,其特征在于:所述石英坩堝包括鍋體,所述鍋體具有用于存放多晶硅料的存放腔,且在存放腔的腔底設(shè)有用于固定石英環(huán)的固定組件,所述固定組件包括設(shè)于存放腔的腔底中心處的轉(zhuǎn)動腔以及以轉(zhuǎn)動腔為中心周向螺旋向遠(yuǎn)離轉(zhuǎn)動腔方向延伸且與轉(zhuǎn)動腔連通的活動槽,所述轉(zhuǎn)動腔的直徑大于活動槽的槽寬,且轉(zhuǎn)動腔遠(yuǎn)離腔口的一端自鍋體的底部貫穿鍋體,所述轉(zhuǎn)動腔內(nèi)間隙設(shè)有可軸向轉(zhuǎn)動的轉(zhuǎn)動銷,所述轉(zhuǎn)動銷的兩端均自轉(zhuǎn)動腔的兩端部分露出轉(zhuǎn)動腔外,且在轉(zhuǎn)動銷的外壁縱向間隔設(shè)有分別活動于活動槽內(nèi)且用于固定石英環(huán)的固定裝置以及活動于轉(zhuǎn)動腔內(nèi)且用于使得轉(zhuǎn)動銷單向轉(zhuǎn)動的單向轉(zhuǎn)動裝置;所述轉(zhuǎn)動銷位于鍋體外的一端固定連接有轉(zhuǎn)動部,所述轉(zhuǎn)動腔的腔壁上設(shè)有供單向轉(zhuǎn)動裝置單向活動并用于限制其反向轉(zhuǎn)動活動部。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種提高重?fù)戒R硅單晶氧含量的生產(chǎn)設(shè)備,其特征在于:所述單向轉(zhuǎn)動裝置包括與轉(zhuǎn)動銷外壁固定連接的單向轉(zhuǎn)動套,所述單向轉(zhuǎn)動套的外壁周向等距間隔設(shè)有多個(gè)單向槽,且各單向槽的同側(cè)槽壁均鉸接有與各單向槽相適配的單向扣板,各單向槽的槽底均固定連接有一端與單向扣板固定連接的固定彈簧;所述活動部包括設(shè)于轉(zhuǎn)動腔的腔壁上的一圈凹槽,且所述凹槽的槽底均周向等距間隔鉸接有多個(gè)限位塊,各限位塊與凹槽的槽底均通過定位彈簧固定連接,且相鄰的限位塊之間形成有與單向扣板相適配的限位槽,各限位塊與凹槽的連接端向遠(yuǎn)離凹槽的一端均自轉(zhuǎn)動銷的轉(zhuǎn)動方向傾斜設(shè)置;所述固定裝置包括多個(gè)活動于活動槽且用于固定石英環(huán)的固定塊且靠近轉(zhuǎn)動銷的固定塊與轉(zhuǎn)動銷之間以及相鄰的固定塊之間均通過縱向間隔設(shè)置的多個(gè)活動球進(jìn)行鉸接,且各活動球均部位位于各固定塊內(nèi),相鄰的固定塊之間均固定連接有限位彈簧。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種提高重?fù)戒R硅單晶氧含量的生產(chǎn)設(shè)備,其特征在于:所述單晶爐包括基座、設(shè)于基座上方且通過支架與基座固定的下爐室以及設(shè)于下爐室上方且與下爐室連通的上爐室,所述下爐室內(nèi)設(shè)有用于存放石英坩堝且通過設(shè)于基座上的第一旋轉(zhuǎn)提升器進(jìn)行提升的石墨熱場模塊,所述上爐室內(nèi)設(shè)有通過設(shè)于上爐室頂部的第二旋轉(zhuǎn)提升器進(jìn)行提升的晶體生長模塊;所述石墨熱場模塊包括與第一旋轉(zhuǎn)提升器輸出端固定連接且用于存放石英坩堝的石墨體以及設(shè)于所述石墨體外部的加熱器,所述石墨體包括石墨底座以及周向間隙固定連接與石墨底座邊緣的石墨邊座,各石墨邊座上均設(shè)有條形的散熱口,所述石墨底座的底部內(nèi)壁設(shè)有與轉(zhuǎn)動部相適配并且與轉(zhuǎn)動部卡接的適配槽,所述晶體生長模塊包括與第二旋轉(zhuǎn)提升器輸出端固定連接的籽晶軸,所述籽晶軸的下端向石墨體方向延伸并且在該端連接有與石英坩堝間隙設(shè)置的籽晶夾持器。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種提高重?fù)戒R硅單晶氧含量的生產(chǎn)設(shè)備,其特征在于:所述溫度穩(wěn)定裝置包括對稱設(shè)于下爐室兩側(cè)的熱氣回收筒以及兩根以下爐室外壁周向螺旋纏繞的第一熱氣回收管,各熱氣回收筒的底部均連通有第二熱氣回收管,所述第一熱氣回收管靠近下爐室頂部外壁的一端均穿入下爐室內(nèi)并且在該均設(shè)有熱氣回收組件,所述第一熱氣回收管的另一端均與第二熱氣回收管連通且在連通處設(shè)有通過控制柜控制的電動閥;所述熱氣回收組件包括設(shè)于下爐室內(nèi)部且與下爐室內(nèi)壁緊貼的半環(huán)形熱氣回收套,且各半環(huán)形熱氣回收套分別與第一熱氣回收管連通,各半環(huán)形熱氣回收套遠(yuǎn)離下爐室內(nèi)壁的一側(cè)曲面上分布有密集的熱氣回收孔;所述熱氣回收筒的外壁均有一保溫腔,且在保溫腔內(nèi)填充有由若干個(gè)形狀為“正六邊形”且相互貼合的保溫塊組合形成的保溫層。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種提高重?fù)戒R硅單晶氧含量的生產(chǎn)設(shè)備,其特征在于:所述排氣裝置包括分別與熱氣回收筒頂部連通的第一排氣管以及自上爐室頂部外壁起始向下并且貼合上爐室外壁周向螺旋延伸的第二排氣管,各第二排氣管位于上方的一端與各第一排氣管連通,各第二排氣管位于下方的一端均穿入至上爐室內(nèi)部且在該端設(shè)有熱氣排放組件;所述熱氣排放組件包括設(shè)于上爐室內(nèi)部且均與上爐室內(nèi)壁接觸的排氣塊,相鄰的排氣塊均相互連通,且部分排氣塊分別與第二排氣管連通,各排氣塊的頂部均以排氣塊的頂部中心徑向間隔設(shè)有多圈排氣孔,且各排氣孔處均設(shè)有與排氣孔連通且形狀為錐形的排氣嘴。
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