[實用新型]碳化硅MOSFET器件

有效

• 申請號: 201920197953.X
• 申請日: 2019-02-14
• 公開（公告）號: CN209766429U
• 公開（公告）日: 2019-12-10
• 發明（設計）人: 卓廷厚;李釗君;劉延聰
• 申請（專利權）人: 廈門芯光潤澤科技有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/04
• 代理公司: 35227 廈門仕誠聯合知識產權代理事務所(普通合伙)
• 代理人: 吳圳添

1.一種碳化硅MOSFET器件，其特征在于，所述器件自下而上包括漏電極，N+襯底和N-外延層；所述N-外延層具有第一P-阱區，所述第一P-阱區中具有P+區和N+區；

還包括：

第一金屬，所述第一金屬與所述P+區上表面和部分所述N+區上表面形成第一歐姆接觸；

柵介質層，位于部分所述N+區、部分所述第一P-阱區和部分所述N-外延層上表面；

柵極，位于所述柵介質層上；

隔離介質層，覆蓋所述柵極側面和所述柵極上表面；

至少一個第二P-阱區，所述第二P-阱區位于相鄰兩個所述第一P-阱區之間，所述第二P-阱區與所述第一P-阱區之間具有第一間隔，所述第二P-阱區包圍有溝槽；

第二金屬，所述第二金屬覆蓋所述溝槽表面以形成第二歐姆接觸，所述第二金屬同時覆蓋所述第一間隔上表面以形成肖特基接觸；

第三金屬，所述第三金屬覆蓋所述隔離介質層、所述第一金屬和所述第二金屬。

2.如權利要求1所述的一種碳化硅MOSFET器件，其特征在于，所述第二P-阱區的深度大于所述第一P-阱區的深度。

3.如權利要求1所述的一種碳化硅MOSFET器件，其特征在于，所述溝槽深度在0.5μm～2.5μm之間，寬度0.5μm～20μm。

4.如權利要求1所述的一種碳化硅MOSFET器件，其特征在于，所述第一P-阱區與所述第二P-阱區之間的間距在1.5μm～5μm。

5.如權利要求1所述的一種碳化硅MOSFET器件，其特征在于，相鄰兩個所述第一P-阱區之間具有兩個以上所述第二P-阱區，相鄰所述第二P-阱區之間具有第二間隔，所述第二金屬同時覆蓋所述第二間隔上表面以形成肖特基接觸。