[實用新型]熱處理模組及半導體制造裝置

有效

• 申請號: 201920183021.X
• 申請日: 2019-02-01
• 公開（公告）號: CN209496822U
• 公開（公告）日: 2019-10-15
• 發明（設計）人: 深川尚義;小篠勲;谷口昌之;山崎夏樹
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;張會華

本實用新型提供一種能夠抑制因熱處理產生的升華物附著于晶圓并使熱處理的基板的面內均勻性良好的熱處理模組及半導體制造裝置。該熱處理裝置具有：殼體，其包括俯視呈方形的殼體基端部和俯視呈圓弧狀的殼體頂端部；基板載置臺，其設于所述殼體內，具有對載置的所述基板進行加熱的加熱機構；以及蓋，其限定所述基板載置臺上方的空間，所述熱處理模組還具有：狹縫，其設于所述殼體的所述殼體頂端部，用于移入移出所述基板；以及排氣部，在俯視狀態下，該排氣部位于所述狹縫與所述基板載置臺之間。

技術領域

本實用新型涉及用于對基板進行熱處理的熱處理模組及半導體制造裝置。

背景技術

在半導體制造工序之一的光刻工序中，利用半導體制造裝置在作為加工對象的半導體晶圓(以下簡稱晶圓)的表面形成抗蝕圖案。在該半導體制造裝置中，包含用于對晶圓進行各種處理的處理模組，大致按照涂布、前烘、曝光、曝光后烘烤以及顯影的順序進行處理。

實用新型內容

實用新型要解決的問題

在對涂布完藥液的晶圓進行PAB熱處理的過程中，存在因熱處理產生的升華物附著于晶圓的擔憂，并且，若熱處理時的氣流紊亂，容易招致熱處理的晶圓的面內均一性惡化。

本實用新型正是鑒于這種情況而完成的，其目的在于提供一種能夠抑制因熱處理產生的升華物附著于晶圓并使熱處理的晶圓的面內均勻性良好的熱處理模組及半導體制造裝置。

用于解決問題的方案

本實用新型的第1技術方案的熱處理模組用于對基板進行熱處理，在該熱處理裝置中，具有：殼體，其包括俯視呈方形的殼體基端部和俯視呈圓弧狀的殼體頂端部；基板載置臺，其設于所述殼體內，具有對載置的所述基板進行加熱的加熱機構；以及蓋，其限定所述基板載置臺上方的空間，所述熱處理模組還具有：狹縫，其設于所述殼體的所述殼體頂端部，用于移入移出所述基板；以及排氣部，在俯視狀態下，該排氣部位于所述狹縫與所述基板載置臺之間。

采用該熱處理模組，由于在狹縫與加熱機構之間形成有排氣部，因此能夠防止因熱處理而產生的升華物自狹縫向殼體外部擴散。并且，由于殼體頂端部形成為圓弧狀，因此狹縫也形成為圓弧狀，因此，能夠使狹縫到排氣部的距離相等，從而容易形成穩定的氣流。并且，能夠抑制因熱處理產生的升華物附著于基板并使熱處理的基板的面內均勻性良好。

在本實用新型的第2技術方案的熱處理模組中，在所述排氣部以在從所述殼體基端部到所述殼體頂端部的方向上孔徑不同的方式設有多個排氣孔。

采用該熱處理模組，由于多個排氣孔的孔徑在從殼體基端部到殼體頂端部的方向上不同，因此，能夠緩和因為距排氣管道的距離的不同而造成的排氣流速的不均衡。

在本實用新型的第3技術方案的熱處理模組中，在所述排氣部以在從所述殼體基端部到所述殼體頂端部的方向上密度不同的方式設有多個的排氣孔。

采用該熱處理模組，由于多個排氣孔的密度在從殼體基端部到殼體頂端部的方向上不同，因此，能夠緩和因為距排氣管道的距離的不同而造成的排氣流速的不均衡。

在本實用新型的第4技術方案的熱處理模組中，在所述排氣部設有排氣狹縫口，該排氣狹縫口的寬度在從所述殼體基端部到所述殼體頂端部的方向上不同。

采用該熱處理模組，由于排氣狹縫口的寬度在從殼體基端部到殼體頂端部的方向上不同，因此，能夠緩和因為距排氣管道的距離的不同而造成的排氣流速的不均衡。

在本實用新型的第5技術方案的熱處理模組中，所述排氣部形成于所述加熱機構的周圍。

采用該熱處理模組，由于排氣部以包圍加熱機構的方式形成，因此容易形成均勻的氣流。

在本實用新型的第6技術方案的熱處理模組中，所述排氣部被分割為多個。