[實(shí)用新型]高效率玻璃基銅銦鎵硒太陽電池結(jié)構(gòu)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201920182258.6 | 申請(qǐng)日: | 2019-02-01 |
| 公開(公告)號(hào): | CN209880628U | 公開(公告)日: | 2019-12-31 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 顧中強(qiáng);聞建華;熊福民;蔡曉晨;龔立光 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 泰州錦能新能源有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L31/0392 | 分類號(hào): | H01L31/0392;H01L31/032;H01L31/068 |
| 代理公司: | 32108 泰州地益專利事務(wù)所 | 代理人: | 王楚云 |
| 地址: | 225300 江蘇省泰州*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 襯底玻璃 緩沖層 阻擋層 本實(shí)用新型 過渡層 銅銦鎵硒太陽電池 銅銦鎵硒層 透明導(dǎo)電層 背電極層 產(chǎn)品良率 電池效率 光吸收層 質(zhì)量穩(wěn)定 電極 玻璃基 高效率 結(jié)合力 吸收層 均一 制備 離子 摻雜 玻璃 | ||
本實(shí)用新型公開了一種高效率玻璃基銅銦鎵硒太陽電池結(jié)構(gòu),包含一襯底玻璃,襯底玻璃的下方設(shè)有一SiOx阻擋層,襯底玻璃的上方自下而上依次設(shè)有一SiOx阻擋層、一MoOx過渡層、一Mo背電極層、一摻雜Na光吸收層、一第一緩沖層、一第二緩沖層和一透明導(dǎo)電層。作為本實(shí)用新型較佳的實(shí)施例,第一緩沖層為Zo(O,S,OH),第二緩沖層為(Zn,Mg)O。本實(shí)用新型的襯底玻璃采用雙面阻擋層,避免玻璃中的Na離子進(jìn)入銅銦鎵硒層造成電池效率不可控。MoOx過渡層則增強(qiáng)了阻擋層和Mo電極結(jié)合力,有利于提高產(chǎn)品良率。通過精確控制CIGS膜中Na含量,制備穩(wěn)定均一的CIGS薄膜,從而得到高質(zhì)量穩(wěn)定的吸收層。
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及一種太陽能電池,更確切地說,是一種高效率玻璃基銅銦鎵硒太陽電池結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)
銅銦鎵硒(簡稱CIGS)太陽能電池作為第三代太陽能電池的代表,具有光電轉(zhuǎn)換效率高、衰減小、弱光性能好、性能穩(wěn)定等優(yōu)點(diǎn)越來越引起研究和制造領(lǐng)域的關(guān)注。通過調(diào)節(jié)銅銦鎵硒薄膜中In、Ga的比例,使其禁帶寬度在1.04ev 到1.68ev之間變動(dòng),從而制得高效率的CIGS太陽電池。
現(xiàn)有的CIGS太陽電池一般由以下結(jié)構(gòu)構(gòu)成(由下而上):襯底/背電極/光吸收層/緩沖層/透明導(dǎo)電層/金屬電極層。其中背電極由單層Mo構(gòu)成,雖然此結(jié)構(gòu)簡單,但由于Mo層較為松散,一方面容易讓襯底中的雜質(zhì)進(jìn)入電池吸收層,導(dǎo)致電池效率下降;另一方面針對(duì)普通玻璃基底CIGS太陽電池雖然玻璃中的Na 離子擴(kuò)散到吸收層有益于提高電池效率,但由于摻雜量不可控,使得電池效率波動(dòng)較大不利于量產(chǎn)。緩沖層一般由和CIGS晶格匹配良好的CdS構(gòu)成,但CdS 中因?yàn)橹亟饘貱d的存在而會(huì)對(duì)環(huán)境造成不利的影響,近年來無Cd緩沖層的研究越來越得到重視,中國專利CN103972329B中公布用ZnS替代CdS,此方案雖然解決了Cd的污染問題,但電池效率會(huì)有較大下降且工藝較為復(fù)雜。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型主要是解決現(xiàn)有技術(shù)所存在的技術(shù)問題,從而提供一種高效率玻璃基銅銦鎵硒太陽電池結(jié)構(gòu)。
本實(shí)用新型的上述技術(shù)問題主要是通過下述技術(shù)方案得以解決的:
一種高效率玻璃基銅銦鎵硒太陽電池結(jié)構(gòu),其特征在于,所述的高效率玻璃基銅銦鎵硒太陽電池結(jié)構(gòu)包含一襯底玻璃,所述的襯底玻璃的下方設(shè)有一第一SiOx阻擋層,所述的襯底玻璃的上方自下而上依次設(shè)有一第二SiOx阻擋層、一 MoOx過渡層、一Mo背電極層、一摻雜Na光吸收層、一第一緩沖層、一第二緩沖層和一透明導(dǎo)電層。
作為本實(shí)用新型較佳的實(shí)施例,所述的第一緩沖層為Zo(O,S,OH),所述的第二緩沖層為(Zn,Mg)O。
作為本實(shí)用新型較佳的實(shí)施例,所述的透明導(dǎo)電層為ZnO:B或ZnO:Al。
作為本實(shí)用新型較佳的實(shí)施例,所述的第一SiOx阻擋層的厚度為60~80nm,所述的襯底玻璃的厚度為1.8~2.1mm,所述的第二SiOx阻擋層的厚度為 80~100nm,所述的MoOx過渡層的厚度為100~125nm,所述的Mo背電極層的厚度為300~400nm,所述的摻雜Na光吸收層的厚度為1000~1200nm,所述的第一緩沖層的厚度為15~20nm,所述的第二緩沖層的厚度為20~25nm,所述的透明導(dǎo)電層的厚度為1700~1800nm。
本實(shí)用新型的高效率玻璃基銅銦鎵硒太陽電池結(jié)構(gòu)具有以下優(yōu)點(diǎn):本實(shí)用新型的襯底玻璃采用雙面阻擋層,避免玻璃中的Na離子進(jìn)入銅銦鎵硒層造成電池效率不可控。MoOx過渡層則增強(qiáng)了阻擋層和Mo電極結(jié)合力,有利于提高產(chǎn)品良率。通過精確控制CIGS膜中Na含量,制備穩(wěn)定均一的CIGS薄膜,從而得到高質(zhì)量穩(wěn)定的吸收層。另外,緩沖層采用Zn(O,S,OH)、(Zn,Mg)O雙層結(jié)構(gòu)替代傳統(tǒng)的CdS過渡層,在實(shí)現(xiàn)環(huán)保的同時(shí)又保證了電池的效率。
附圖說明
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





