[實(shí)用新型]一種用于碳化硅器件的場限環(huán)結(jié)終端結(jié)構(gòu)以及碳化硅器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201920181119.1
• 申請日: 2019-02-01
• 公開（公告）號: CN209658180U
• 公開（公告）日: 2019-11-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 朱繼紅;藺增金;張志文
• 申請（專利權(quán)）人: 北京燕東微電子有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/16;H01L21/266
• 代理公司: 11257 北京正理專利代理有限公司
• 代理人: 張雪梅<國際申請>=<國際公布>=<進(jìn)入

1.一種用于碳化硅器件的場限環(huán)結(jié)終端結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

M個(gè)場限環(huán)，其中第1場限環(huán)環(huán)繞所述碳化硅器件的功能區(qū)，第m個(gè)場限環(huán)環(huán)繞第(m-1)個(gè)場限環(huán)；

其中第m個(gè)場限環(huán)的結(jié)深小于第(m-1)個(gè)場限環(huán)的結(jié)深，M、n為正整數(shù)，且2≤m≤M。

2.如權(quán)利要求1所述的場限環(huán)結(jié)終端結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述場限環(huán)為四面包圍所述功能區(qū)、三面包圍所述功能區(qū)或兩面包圍所述功能區(qū)。

3.如權(quán)利要求1所述的場限環(huán)結(jié)終端結(jié)構(gòu)，其特征在于，

從所述第1場限環(huán)到所述第M場限環(huán)的結(jié)深從1μm逐漸降為0.1μm。

4.如權(quán)利要求1所述的場限環(huán)結(jié)終端結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述場限環(huán)之間彼此等間距或不等間距隔開。

5.如權(quán)利要求4所述的場限環(huán)結(jié)終端結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述間距為1μm～5μm。

6.一種碳化硅器件，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的場限環(huán)結(jié)終端結(jié)構(gòu)。