[實用新型]一種飽和壓降測試電路

有效

• 申請號: 201920178065.3
• 申請日: 2019-01-31
• 公開（公告）號: CN209803273U
• 公開（公告）日: 2019-12-17
• 發明（設計）人: 黃儉;高存旗;劉杰
• 申請（專利權）人: 深圳芯能半導體技術有限公司
• 主分類號: G01R31/26
• 分類號: G01R31/26
• 代理公司: 44325 深圳眾鼎專利商標代理事務所(普通合伙)
• 代理人: 黃章輝

本實用新型提供了一種飽和壓降測試電路，包括電源輸入模塊、濾波模塊、雙脈沖模塊、放大信號模塊、母線電壓模塊、感性模塊以及電壓鉗制模塊；電源輸入模塊為放大信號模塊進行供電；濾波模塊為電源輸入模塊的輸出電壓進行濾波；雙脈沖模塊用于輸出雙脈沖信號；放大信號模塊對雙脈沖信號進行放大，用于對待測IGBT依次進行一次開啟、關斷以及二次開啟；母線電壓模塊用于：輸入檢測電流和檢測電壓到待測IGBT、感性模塊以及電壓鉗制模塊；感性模塊用于：控制檢測電流流過待測IGBT的源漏端；電壓鉗制模塊用于：對檢測電壓進行穩壓以保護待測IGBT，同時為在待測IGBT關斷時對感性模塊進行續流，達到對電源輸入模塊進行濾波，保證測量精度的作用。

技術領域

本實用新型屬于測試電路技術領域，更具體地說，是涉及一種飽和壓降測試電路。

背景技術

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)即絕緣柵雙極型晶體管，是由 BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。 GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低，非常適合應用于變流系統如高壓變頻器、高壓靜止無功發生器、機車車輛牽引變流器、風力發電變流器、輕型直流輸電等領域。

現有技術中，利用單片機發出雙脈沖信號，第一個脈沖使得測試IGBT達到額定工作電流，第二個脈沖用于測試IGBT的動態特性，利用示波器和差分隔離探頭測試開關時IGBT的動態電壓和電流參數，但是，為單片機供電的供電電源對單片機的正常工作具有一定的干擾，影響對待測IGBT飽和壓降測量的準確性。

實用新型內容

本實用新型的目的在于提供一種飽和壓降測試電路，以解決現有技術中存在的供電電源對測IGBT飽和壓降測量具有干擾的技術問題。

為實現上述目的，本實用新型采用的技術方案是：提供一種飽和壓降測試電路，包括電源輸入模塊、濾波模塊、雙脈沖模塊、放大信號模塊、母線電壓模塊、感性模塊以及電壓鉗制模塊；

所述電源輸入模塊為所述放大信號模塊進行供電；

所述濾波模塊為所述電源輸入模塊的輸出電壓進行濾波；

所述雙脈沖模塊用于輸出雙脈沖信號；

所述放大信號模塊對雙脈沖信號進行放大，用于對待測IGBT依次進行一次開啟、關斷以及二次開啟；

所述母線電壓模塊用于：輸入檢測電流和檢測電壓到待測IGBT、感性模塊以及所述電壓鉗制模塊；

所述感性模塊用于：控制檢測電流流過待測IGBT的源漏端；

所述電壓鉗制模塊用于：對檢測電壓進行穩壓以保護待測IGBT，同時為在待測IGBT關斷時對所述感性模塊進行續流。

進一步地，所述電源輸入模塊為可調輸入電壓源。

進一步地，所述濾波模塊包括第一電容、第二電容以及第三電容，所述第一電容、所述第二電容以及所述第三電容的一端均耦接于所述電源輸入模塊的輸出端，所述第一電容、所述第二電容以及所述第三電容的另一端均接地。

進一步地，所述第二電容為第一極性電容，所述第一極性電容的正極耦接于所述電源輸入模塊的輸出端，所述第一極性電容的負極接地。

進一步地，所述放大信號模塊為芯片FAN3214T，所述芯片FAN3214T的INA 端和INB端連接于所述雙脈沖模塊，所述芯片FAN3214T的GND端接地，所述芯片FAN3214T的OUTA端和OUTB端連接于待測IGBT的門極。