[實用新型]一種半導體發光元件

有效

• 申請號: 201920175567.0
• 申請日: 2019-01-31
• 公開（公告）號: CN209418543U
• 公開（公告）日: 2019-09-20
• 發明（設計）人: 蔡琳榕;朱立欽;楊力勛;曾信義
• 申請（專利權）人: 廈門市三安光電科技有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/46;H01L33/44;H01L33/40
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種半導體發光元件，包括如下層疊順序的多層結構：反射層、透明支撐襯底、透明鍵合層、第二透明歐姆接觸層、絕緣層、第一透明歐姆接觸層和發光半導體序列；

發光半導體序列包括第一導電類型半導體層、發光層和第二導電類型半導體層，若干個孔開啟于第一導電類型半導體層側并延伸穿過發光層至暴露第二導電類型半導體層；

第一透明歐姆接觸層包括一部分覆蓋第一導電類型半導體層一側并形成電接觸，包括另一部分用于安裝與外部連接的并與發光半導體序列同側的第一電極；

第二透明歐姆接觸層包括一部分延伸至孔的底部與第二導電類型半導體層接觸，包括另一部分用于安裝與外部連接的并與第一電極同側的第二電極；

絕緣層延伸至孔中用于第二透明歐姆接觸層與孔的側壁絕緣。

2.根據權利要求1所述的一種半導體發光元件，其特征在于：所述的透明支撐襯底為絕緣襯底。

3.根據權利要求1所述的一種半導體發光元件，其特征在于：所述的透明鍵合層為絕緣樹脂或絕緣無機化合物。

4.根據權利要求1所述的一種半導體發光元件，其特征在于：所述的第一透明歐姆接觸層或第二透明歐姆接觸層為導電金屬氧化物。

5.根據權利要求1所述的一種半導體發光元件，其特征在于：所述發光半導體序列為AlxGayIn1-x-yN基發光序列，x=0~1，y=0~1。

6.根據權利要求1所述的一種半導體發光元件，其特征在于：透明鍵合層為兩層以上的無機化合物。

7.根據權利要求1所述的一種半導體發光元件，其特征在于：所述的反射層為金屬或DBR。

8.一種半導體發光元件，其包括如下層疊順序的多層結構：反射層、透明支撐襯底、透明鍵合層、多個分離的但電性串聯的發光半導體序列，每一個分離的發光半導體序列與透明鍵合層之間包括如下層疊順序的多層：第二透明歐姆接觸層、絕緣層、第一透明歐姆接觸層；

多個分離的發光半導體序列包括第一導電類型半導體層、發光層和第二導電類型半導體層，若干個孔開啟于第一導電類型半導體層側并延伸穿過發光層至暴露第二導電類型半導體層；

串聯的第一個的發光半導體序列下方的第一透明歐姆接觸層包括一部分覆蓋第一導電類型半導體層一側并形成電接觸，包括另一部分安裝用于外部連接并與發光半導體序列同側的第一電極；

串聯的最后一個發光半導體序列第二透明歐姆接觸層包括一部分延伸至孔的底部與第二導電類型半導體層接觸，包括另一部分被安裝用于外部連接并與發光半導體序列同側的第二電極；每一個發光半導體序列下方的絕緣層延伸至孔中用于第二透明歐姆接觸層與孔的側壁絕緣；其中一個的發光半導體序列通過第二透明歐姆接觸層延伸至與相鄰的另一個發光半導體序列的第一透明歐姆接觸層接觸實現串聯。

9.根據權利要求8所述的一種半導體發光元件，其特征在于：所述的透明支撐襯底為絕緣襯底。

10.根據權利要求8所述的一種半導體發光元件，其特征在于：所述的透明鍵合層為絕緣樹脂或絕緣無機化合物。

11.根據權利要求8所述的一種半導體發光元件，其特征在于：所述的第一透明歐姆接觸層或第二透明歐姆接觸層為導電金屬氧化物。

12.根據權利要求8所述的一種半導體發光元件，其特征在于：所述發光半導體序列為AlxGayIn1-x-yN基發光序列，x=0~1，y=0~1。

13.根據權利要求8所述的一種半導體發光元件，其特征在于：透明鍵合層為兩層以上的絕緣無機化合物。

14.根據權利要求8所述的一種半導體發光元件，其特征在于：所述的反射層為金屬或DBR。

15.根據權利要求8所述的一種半導體發光元件，其特征在于：所述的一個發光半導體序列通過第二透明歐姆接觸層延伸穿過絕緣層與相鄰的另一個發光半導體序列的第一透明歐姆接觸層接觸實現串聯。