[實用新型]一種具有ODR的倒裝VCSEL芯片

有效

• 申請號: 201920164730.3
• 申請日: 2019-01-30
• 公開（公告）號: CN209217431U
• 公開（公告）日: 2019-08-06
• 發明（設計）人: 賈釗;趙炆兼;郭冠軍;曹廣亮;趙麗
• 申請（專利權）人: 廈門乾照半導體科技有限公司
• 主分類號: H01S5/183
• 分類號: H01S5/183
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種具有ODR的倒裝VCSEL芯片，其特征在于，包括：導電層；設置于所述導電層上的金屬反射層；分別設置于所述金屬反射層遠離所述導電層一側的歐姆接觸層和絕緣層，所述絕緣層環繞所述歐姆接觸層分布；設置于所述歐姆接觸層和所述絕緣層遠離所述金屬反射層一側的第一DBR層；設置于所述第一DBR層遠離所述歐姆接觸層和所述絕緣層一側的有源層；設置于所述有源層遠離所述第一DBR層一側的第二DBR層；以及設置于所述第二DBR層遠離所述有源層一側的電極。

2.根據權利要求1所述的具有ODR的倒裝VCSEL芯片，其特征在于，所述導電層的材質包括金屬。

3.根據權利要求2所述的具有ODR的倒裝VCSEL芯片，其特征在于，所述導電層的材質包括銅或銅鎢合金。

4.根據權利要求1-3任意一項所述的具有ODR的倒裝VCSEL芯片，其特征在于，所述導電層的厚度為100-200um。

5.根據權利要求1所述的具有ODR的倒裝VCSEL芯片，其特征在于，所述第一DBR層為P-DBR層，所述第二DBR層為N-DBR層。

6.根據權利要求1所述的具有ODR的倒裝VCSEL芯片，其特征在于，所述歐姆接觸層包括GaAs層。

7.根據權利要求1所述的具有ODR的倒裝VCSEL芯片，其特征在于，所述絕緣層的材質包括SiO2。

8.根據權利要求1所述的具有ODR的倒裝VCSEL芯片，其特征在于，所述金屬反射層的材質包括Au、Ag或Al。