[實(shí)用新型]一種磁光可調(diào)光衰減器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201920161274.7
• 申請(qǐng)日: 2019-01-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN209343071U
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-09-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳建林;林玲;羅曉蕓
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 福建華科光電有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G02F1/09
• 分類(lèi)號(hào): G02F1/09
• 代理公司: 福州市鼓樓區(qū)京華專(zhuān)利事務(wù)所(普通合伙) 35212
• 代理人: 王美花

1.一種磁光可調(diào)光衰減器，其特征在于：包括第一楔形雙折射晶體、第二楔形雙折射晶體、法拉第旋轉(zhuǎn)晶體、用于給所述法拉第旋轉(zhuǎn)晶體施加飽和磁場(chǎng)的飽和磁場(chǎng)施加機(jī)構(gòu)、用于施加可變磁場(chǎng)的可變磁場(chǎng)施加機(jī)構(gòu)、用于發(fā)射光信號(hào)和接收光信號(hào)的雙光纖準(zhǔn)直器；

所述第一楔形雙折射晶體包括第一楔角面和第二楔角面；所述第二楔形雙折射晶體包括第三楔角面和第四楔角面，所述第三楔角面平行于所述第二楔角面；

所述雙光纖準(zhǔn)直器包括光信號(hào)輸入的第一光纖、光信號(hào)輸出的第二光纖、以及準(zhǔn)直透鏡；第一光纖和第二光纖平行布置，第一光纖和第二光纖的出射端面后再布置所述準(zhǔn)直透鏡，所述第一楔形雙折射晶體、第二楔形雙折射晶體、法拉第旋轉(zhuǎn)晶體依次緊貼布置，且所述第二楔角面和第三楔角面緊貼，所述第一楔形雙折射晶體的光軸在水平軸線(xiàn)與法線(xiàn)所在的平面內(nèi)，第一楔形雙折射晶體的光軸方位角與水平軸線(xiàn)成θ角，所述第二楔形雙折射晶體的光軸垂直于水平軸線(xiàn)與法線(xiàn)所在的平面；

所述飽和磁場(chǎng)施加機(jī)構(gòu)設(shè)置在所述法拉第旋轉(zhuǎn)晶體的側(cè)邊，且施加的飽和磁場(chǎng)的方向垂直于水平軸線(xiàn)；所述可變磁場(chǎng)施加機(jī)構(gòu)套設(shè)在所述第一楔形雙折射晶體、第二楔形雙折射晶體、法拉第旋轉(zhuǎn)晶體、飽和磁場(chǎng)施加機(jī)構(gòu)的外面，且所述可變磁場(chǎng)施加機(jī)構(gòu)施加的可變磁場(chǎng)的方向?yàn)槠叫杏谒捷S線(xiàn)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種磁光可調(diào)光衰減器，其特征在于：所述第一楔形雙折射晶體、第二楔形雙折射晶體、法拉第旋轉(zhuǎn)晶體連接成一個(gè)整體。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種磁光可調(diào)光衰減器，其特征在于：射入所述第一楔形雙折射晶體的入射光的入射角為β，所述第一楔角面的傾角為α1；所述第二楔角面和第三楔角面的傾角都為α2；所述第四楔角面的傾角為α3；α1、α2、α3、θ和β，滿(mǎn)足如下關(guān)系式：

其中，楔角面傾角符號(hào)規(guī)定為順時(shí)針傾斜為負(fù)，逆時(shí)針傾斜為正；n_o為雙折射晶體O光折射率，n_e為雙折射晶體E光折射率，θe為E光波法線(xiàn)與水平軸線(xiàn)的夾角，n(θe)為E光在雙折射晶體波法線(xiàn)方向傳播時(shí)的折射率，n(θe)和θe由以下兩方程得出：

sin(α₁-β)＝n(θe)·sin(α1-(θ-θe)) (2)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種磁光可調(diào)光衰減器，其特征在于：所述飽和磁場(chǎng)施加機(jī)構(gòu)為兩個(gè)永磁鐵，兩所述永磁鐵一一對(duì)應(yīng)布置在所述法拉第旋轉(zhuǎn)晶體的上下兩側(cè)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種磁光可調(diào)光衰減器，其特征在于：所述可變磁場(chǎng)施加機(jī)構(gòu)為感應(yīng)線(xiàn)圈。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種磁光可調(diào)光衰減器，其特征在于：所述法拉第旋轉(zhuǎn)晶體為不自帶磁場(chǎng)的法拉第旋轉(zhuǎn)片，并且在所述法拉第旋轉(zhuǎn)片后端面設(shè)置有反射膜層作為反射鏡面。