[實用新型]一種壓接型IGBT的封裝結構

有效

• 申請號: 201920151824.7
• 申請日: 2019-01-29
• 公開（公告）號: CN209249451U
• 公開（公告）日: 2019-08-13
• 發明（設計）人: 鄧二平;任斌;李安琦;張一鳴;趙志斌;黃永章
• 申請（專利權）人: 華北電力大學
• 主分類號: H01L23/367
• 分類號: H01L23/367;H01L23/373
• 代理公司: 北京高沃律師事務所 11569
• 代理人: 程華

1.一種壓接型IGBT的封裝結構，其特征在于，包括：

第一支撐片、散熱裝置、彈性元件、銅片和IGBT芯片結構；

所述第一支撐片設置在所述散熱裝置上，所述第一支撐片用于支撐安裝于所述壓接型IGBT的封裝結構上的電子器件；

所述散熱裝置設置在所述第一支撐片與所述銅片之間，所述散熱裝置用于對所述IGBT芯片結構散熱；

所述彈性元件貫穿設置在所述散熱裝置內部，所述彈性元件一端與所述第一支撐片連接，另一端與所述銅片連接；所述彈性元件用于補償IGBT芯片結構因發熱產生的壓力差；

所述銅片設置在所述散熱裝置與所述IGBT芯片結構之間，所述銅片用于將所述IGBT芯片結構產生的熱量傳遞至所述散熱裝置，所述銅片還用于將所述彈性元件的彈力傳遞至所述IGBT芯片結構。

2.根據權利要求1所述的壓接型IGBT的封裝結構，其特征在于，所述散熱裝置，具體包括：

散熱殼體、第一散熱板、第二散熱板和多個通道；

所述第一散熱板和所述第二散熱板位于所述散熱殼體內部；

所述第一散熱板上設置有多個第一通孔；所述第二散熱板上設置有多個第二通孔；所述第一通孔在所述第一散熱板的位置與所述第二通孔在所述第二散熱板的位置相同；所述通道一端連接所述第一通孔，所述通道的另一端連接與所述第一通孔位置對應的所述第二通孔；所述第一通孔的個數、所述第二通孔的個數、所述通道的個數均相同；所述彈性元件穿過所述通道一端與所述第一支撐片連接，另一端與所述IGBT芯片結構連接；

所述散熱殼體包括散熱殼體頂蓋和散熱殼體側壁，所述散熱殼體側壁環繞在所述散熱殼體頂蓋的邊緣；所述散熱殼體頂蓋中部設有一頂蓋通孔，所述第一支撐片嵌入在所述頂蓋通孔上；所述第一散熱板設置在所述頂蓋下表面，所述第一散熱板的邊緣與所述散熱殼體的側壁緊密貼合在一起；所述第二散熱板的邊緣與所述散熱殼體的側壁緊密貼合在一起；所述散熱殼體的側壁設有入水口和出水口；水流經過所述入水口進入所述第一散熱板與所述第二散熱板形成的空隙中，并從所述出水口流出。

3.根據權利要求1所述的壓接型IGBT的封裝結構，其特征在于，所述彈性元件為彈簧。

4.根據權利要求2所述的壓接型IGBT的封裝結構，其特征在于，所述IGBT芯片結構，具體包括：

IGBT芯片模塊組、鉬基底和銅基底；

所述IGBT芯片模塊組設置在所述銅片表面；所述銅片用于作為所述IGBT芯片模塊組的發射極；

所述鉬基底設置在所述IGBT芯片模塊組與所述銅基底之間，所述鉬基底用于支撐所述IGBT芯片模塊組；所述銅基底用于作為所述IGBT芯片模塊組的集電極。

5.根據權利要求4所述的壓接型IGBT的封裝結構，其特征在于，所述IGBT芯片結構，還包括：絕緣封裝層；所述絕緣封裝層設置在所述銅片與所述銅基底之間，并將所述IGBT芯片模塊組和所述鉬基底包圍。

6.根據權利要求5所述的壓接型IGBT的封裝結構，其特征在于，所述IGBT芯片模塊組，具體包括：

多個IGBT芯片模塊和多個FRD芯片模塊；

所述IGBT芯片模塊個數與所述FRD芯片模塊個數之和與所述第一通孔的個數相同；每個所述IGBT芯片模塊位置和每個所述FRD芯片模塊位置均與所述第一通孔位置對應。

7.根據權利要求6所述的壓接型IGBT的封裝結構，其特征在于，所述IGBT芯片模塊，具體包括：

IGBT芯片、柵極探針、第二支撐片和IGBT芯片殼體；

所述IGBT芯片設置在所述IGBT芯片殼體內；所述柵極探針一端設置在所述IGBT芯片上，另一端設置在布設有PCB板的所述銅片表面上；所述第二支撐片設置在所述IGBT芯片與所述銅片之間，所述第二支撐片用于將壓力均勻傳遞至所述IGBT芯片。