[實用新型]一種分裂柵IGBT結構

有效

• 申請號: 201920141788.6
• 申請日: 2019-01-28
• 公開（公告）號: CN209232796U
• 公開（公告）日: 2019-08-09
• 發明（設計）人: 孫茂友;宋李梅;周麗哲
• 申請（專利權）人: 江蘇矽導集成科技有限公司
• 主分類號: H01L29/739
• 分類號: H01L29/739;H01L29/423
• 代理公司: 南京蘇科專利代理有限責任公司 32102
• 代理人: 韓素娟

1.一種分裂柵IGBT結構，包括從下至上依次層疊設置的集電極、P++集電極區、N+緩沖區、N-漂移區、柵結構及頂部金屬層，其特征在于：所述柵結構包括柵介質層及在所述柵介質層內分隔設置的第一柵電極和第二柵電極，所述頂部金屬層包括分隔設置的發射極和輔助電極，所述N-漂移區上部分隔設置有第一P型基區和第二P型基區，所述第一P型基區上部設有第一P+發射極區和N+發射極區，所述第一P+發射極區和N+發射極區均與所述發射極連接，所述第一P型基區和所述N+發射極區均與所述第一柵電極對應，所述第二P型基區上部設有第二P+發射極區，所述第二P+發射極區與所述輔助電極連接，所述第二P型基區與所述第二柵電極或第一柵電極對應，所述輔助電極與所述發射極之間連接電感L1，所述發射極與外部端子之間連接電感L2，所述電感L1和電感L2構成互感M1。

2.根據權利要求1所述的分裂柵IGBT結構，其特征在于：所述柵結構采用平面型結構，所述柵介質層設置在所述N-漂移區頂部，所述第一柵電極和第二柵電極在所述柵介質層上水平分布，所述第二P型基區與所述第二柵電極對應。

3.根據權利要求1所述的分裂柵IGBT結構，其特征在于：所述柵結構采用溝槽型結構，所述柵介質層從所述第一P型基區和第二P型基區之間伸入所述N-漂移區，所述第一柵電極和第二柵電極在所述柵介質層上垂直分布，所述第二P型基區與所述第一柵電極對應，所述第二柵電極與所述發射極連接。