[實用新型]廢甲醇提純再利用低酸耗低腐蝕硫酸法烷基化反應系統有效
| 申請號: | 201920138828.1 | 申請日: | 2019-01-28 |
| 公開(公告)號: | CN209715078U | 公開(公告)日: | 2019-12-03 |
| 發明(設計)人: | 王征;王化民;張政學;任琪;薛飛 | 申請(專利權)人: | 寧夏瑞科新源化工有限公司 |
| 主分類號: | B01J19/00 | 分類號: | B01J19/00;C07C31/04;C07C29/76 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 甲醇 氫氧化鈉溶液 水洗罐 再利用 烷基化反應單元 烷基化過程 供應裝置 氫氧化鈉 廢甲醇 混合液 堿洗罐 萃取塔 提純 酸耗 硫化氫 硫酸法烷基化 污水處理問題 本實用新型 醚化反應器 烷基化原料 反應系統 水洗過程 低腐蝕 共沸塔 甲醇塔 水分離 低酸 堿洗 碳四 回收 排放 | ||
一種廢甲醇提純再利用低酸耗低腐蝕硫酸法烷基化反應系統,包括烷基化反應單元、廢甲醇提純再利用單元,本實用新型中,醚化反應器中未反應的碳四通過共沸塔、萃取塔以及水洗罐,最大限度的降低進入烷基化反應單元的甲醇,降低烷基化過程中的酸耗,通過甲醇塔將來自萃取塔和水洗罐的甲醇與水分離,實現了甲醇的回收再利用,并解決了水洗罐中排放的含有甲醇的污水處理問題;本技術方案中,增加了堿洗罐,并增加氫氧化鈉混合液供應裝置為堿洗罐提供氫氧化鈉溶液,并利用氫氧化鈉溶液除去硫化氫,經過堿洗的烷基化原料在后續水洗過程中,同樣通過氫氧化鈉混合液供應裝置為水洗罐加入少量氫氧化鈉溶液,最大限度降低烷基化過程中的酸耗。
技術領域
本實用新型涉及硫酸烷基化生產化工設備技術領域,特別涉及一種廢甲醇提純再利用低酸耗低腐蝕硫酸法烷基化反應系統。
背景技術
烷基化原料采用MTBE裝置富產的醚后碳四,該原料經分析含有少量甲醇,對裝置酸耗影響較大。烷基化原料預處理主要是利用水洗塔及脫輕塔處理前期碳四原料所含雜質,達到反應進料所需要求;水洗塔利用逆流水洗碳四原料含甲醇,保證反應低酸耗,但是水洗無法洗除碳四原料所攜帶硫化物,特別是硫化氫,這對酸耗影響特別大,其次,管線腐蝕較大,隨時存在泄露風險,因此,解決酸耗及設備腐蝕問題對降低裝置成本、提高裝置的競爭能力、為企業創造經濟效益具有十分重要的意義。
發明內容
有鑒于此,針對上述不足,有必要提出一種廢甲醇提純再利用低酸耗低腐蝕硫酸法烷基化反應系。
一種廢甲醇提純再利用低酸耗低腐蝕硫酸法烷基化反應系統,包括烷基化反應單元、廢甲醇提純再利用單元,所述烷基化反應單元包括除鹽水供應裝置、氫氧化鈉混合液供應裝置、堿洗罐、水洗罐、分餾塔、烷基化反應器,所述除鹽水供應裝置包括除鹽水儲罐,所述除鹽水儲罐包括除鹽水供應口,氫氧化鈉混合液供應裝置包括堿液混合罐、第一計量泵、第二計量泵,所述堿液混合罐包括除鹽水添加口、片堿添加口、氫氧化鈉溶液供應口,堿洗罐包括堿洗液入口、烷基化原料堿洗入口、堿洗出口,水洗罐包括水洗液入口、烷基化原料水洗入口、水洗出口、水洗液出口,所述除鹽水儲罐的除鹽水供應口與堿液混合罐的除鹽水添加口連接,所述氫氧化鈉溶液供應口與第一計量泵的入口連接,所述第一計量泵的出口與堿洗罐的堿洗液入口連接,所述氫氧化鈉溶液供應口還與第二計量泵的入口連接,所述第二計量泵的出口與水洗罐的水洗液入口連接,所述除鹽水儲罐的除鹽水供應口還與水洗罐的水洗液入口連接,堿洗罐的堿洗出口與水洗罐的烷基化原料水洗入口連接,水洗罐的水洗出口與分餾塔的入口連接,所述分餾塔的出口與烷基化反應器的入口連接,所述廢甲醇提純再利用單元包括醚化反應器、共沸塔、萃取塔、甲醇塔,所述醚化反應器的出口與共沸塔的入口連接,共沸塔頂部出口與萃取塔的入口連接,萃取塔頂部的出口與堿洗罐的烷基化原料堿洗入口連接,萃取塔底部的出口與甲醇塔的入口連接,醚化反應器包括甲醇入口,所述甲醇塔頂部出口與醚化反應器的甲醇入口連接,所述水洗罐底部的水洗液出口與甲醇塔的入口連接。
優選的,所述烷基化反應單元還包括廢硫酸濃縮裝置,所述廢硫酸濃縮裝置包括沉降罐、濃縮反應器,濃縮反應器的上部設置有廢硫酸入口,濃縮反應器的下部右側設有濃縮硫酸出口,所述沉降罐的入口與烷基化反應器底部的廢硫酸出口連接,所述沉降罐酸液出口與濃縮反應器的廢硫酸入口連接,在濃縮反應器的下方左側設有三氧化硫入口,以使進入濃縮反應器的三氧化硫上升過程中與濃縮反應器上方流下的廢硫酸反應,以使廢硫酸濃縮,在烷基化反應器的頂部設置有新硫酸入口,所述濃縮反應器的濃縮硫酸出口與烷基化反應器的新硫酸入口連接。
優選的,所述濃縮反應器內設置有多個第一導流板、多個第二導流板,所述第一導流板、第二導流板與濃縮反應器前后內側壁接觸,所述第一導流板與濃縮反應器左內側壁接觸、所述第一導流板與濃縮反應器右內側壁不接觸,所述第二導流板與濃縮反應器左內側壁不接觸、所述第二導流板與濃縮反應器右內側壁接觸,第一導流板、第二導流板在濃縮反應器內從上而下交錯布置,在第一導流板、第二導流板上密布有透氣孔。
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