[實(shí)用新型]一種半導(dǎo)體發(fā)光元件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201920125585.8
• 申請(qǐng)日: 2019-01-25
• 公開（公告）號(hào): CN209266434U
• 公開（公告）日: 2019-08-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 范慧麗;汪學(xué)鵬;黃翰毅;蔡吉明
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 安徽三安光電有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/44
• 分類號(hào): H01L33/44;H01L33/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種半導(dǎo)體發(fā)光元件，包括：

一發(fā)光外延層，自下而上依次包括第一半導(dǎo)體層、發(fā)光層和第二半導(dǎo)體層；

一第一電極，位于所述第一半導(dǎo)體層上，并與所述第一半導(dǎo)體層形成電性連接；

一第二電極，位于所述第二半導(dǎo)體層上，并與所述第二半導(dǎo)體層形成電性連接；

一透明導(dǎo)電層，位于第二半導(dǎo)體層和第二電極之間；

一第一保護(hù)層，位于發(fā)光外延層之上，且部分包覆第一電極和第二電極表面；

其特征在于：該發(fā)光二極管還包括一第二保護(hù)層，該第二保護(hù)層設(shè)置于發(fā)光外延層以及、透明導(dǎo)電層側(cè)壁的側(cè)表面，以及延伸至透明導(dǎo)電層之上的上表面，所述第二保護(hù)層的致密度大于所述第一保護(hù)層的致密度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于：所述第二保護(hù)層的上表面覆蓋所述透明導(dǎo)電層的端部。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于：所述第二保護(hù)層的上表面全部覆蓋于所述透明導(dǎo)電層之上，所述上表面設(shè)置有若干個(gè)孔洞結(jié)構(gòu)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于：所述孔洞結(jié)構(gòu)的下部為透明導(dǎo)電層。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于：所述孔洞結(jié)構(gòu)為圓形、三角形、長(zhǎng)方形或者不規(guī)則圖案。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于：所述孔洞結(jié)構(gòu)成規(guī)則排列。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于：所述第二保護(hù)層的800~4500?。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于：所述第一保護(hù)層的800-4500?。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于：第二保護(hù)層為二氧化硅層或者氮化硅層或者為二氧化硅層與氮化硅層組成的復(fù)合結(jié)構(gòu)層。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于：所述第一保護(hù)層為二氧化硅層。