[實用新型]一種LED植物生長燈

有效

• 申請號: 201920124532.4
• 申請日: 2019-01-23
• 公開（公告）號: CN209415189U
• 公開（公告）日: 2019-09-20
• 發明（設計）人: 艾泉香;藍漢潮
• 申請（專利權）人: 深圳市銘上光電有限公司
• 主分類號: F21S8/00
• 分類號: F21S8/00;F21V19/00;F21V23/00;F21V29/83;F21V29/89;F21V31/00;H01L33/44;A01G7/04;F21Y115/10
• 代理公司: 深圳市鼎泰正和知識產權代理事務所(普通合伙) 44555
• 代理人: 代春蘭

1.一種LED植物生長燈，其特征在于，包括由防水罩和防水玻璃圍合而成的中空燈罩，以及安裝在所述燈罩內的散熱組件、LED基板和LED光源，所述防水罩內設有支撐柱，所述散熱組件固定于所述支撐柱上且相對所述防水罩的內側壁懸空設置；所述LED光源安裝于所述LED基板上，所述LED基板底部與所述散熱組件固定相連；所述防水罩的端面設有端面排水孔，側壁設有內大外小的錐形排水孔，底部設有底部排水孔；所述LED光源包括相間分布的紅光LED芯片、藍光LED芯片和綠光LED芯片，所述紅光LED芯片的波長為650nm-680nm、所述藍光LED芯片的波長為435nm-465nm，所述綠光LED芯片的波長為520nm-550nm，所述的紅光LED芯片、藍光LED芯片和綠光LED芯片的數目配比為10:2:1，其中，所述藍光LED芯片從下向上依次包括襯底、N-GaN層、發光層、P-GaN層、ITO透明導電層、納米銀層以及與所述P-GaN層電性導通的P電極、與所述N-GaN層電性導通的N電極。

2.根據權利要求1所述的LED植物生長燈，其特征在于，所述LED基板為鋁基板，所述鋁基板上設有多個用于安裝LED芯片的LED芯片安裝位，所述LED芯片安裝位上涂有反光層。

3.根據權利要求1所述的LED植物生長燈，其特征在于，還包括固定支架，所述防水罩通過緊固件可轉動地連接在所述固定支架上，使所述防水罩可通過所述固定支架調整燈光投射的角度。

4.根據權利要求1所述的LED植物生長燈，其特征在于，還包括安裝在所述散熱組件頂部的模組透鏡，所述模組透鏡包括多個透鏡，透鏡與所述LED光源上的LED芯片一一對應設置。

5.根據權利要求1所述的LED植物生長燈，其特征在于，所述散熱組件包括散熱件和散熱后蓋，所述散熱后蓋固定連接在所述散熱件靠近所述防水罩底部的一側，所述散熱組件中心軸穿設有與所述LED光源的電源線適配的中心孔，所述電源線從中心孔中穿過。

6.根據權利要求1所述的LED植物生長燈，其特征在于，所述防水罩和防水玻璃之間通過密封件相連。