[實用新型]批次基板濕式處理裝置有效
| 申請號: | 201920111710.X | 申請日: | 2019-01-23 |
| 公開(公告)號: | CN209434152U | 公開(公告)日: | 2019-09-24 |
| 發明(設計)人: | 黃立佐;吳進原;張修凱 | 申請(專利權)人: | 弘塑科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/687;H01L21/306 |
| 代理公司: | 上海翼勝專利商標事務所(普通合伙) 31218 | 代理人: | 翟羽 |
| 地址: | 中國臺灣新竹*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 基板升降機構 基板 基板旋轉機構 槽體 晶舟 濕式處理裝置 主控模塊 升降 蝕刻 高度位置 控制基板 蝕刻液 容納 | ||
一種批次基板濕式處理裝置,包括一槽體、一基板升降機構、一基板旋轉機構以及一主控模塊。所述槽體用于容納晶舟以及位于所述晶舟中的基板。所述基板升降機構設置在所述槽體上,升降所述晶舟及所述晶舟中的基板。所述基板旋轉機構設置在所述基板升降機構上,且用于接觸并帶動所述基板進行旋轉。所述主控模塊連接所述基板升降機構以及所述基板旋轉機構,且控制所述基板升降機構的升降以及所述基板旋轉機構的旋轉。透過控制基板相對所述槽體中蝕刻液的高度位置及旋轉速度,可使所述基板被均勻蝕刻。
技術領域
本實用新型關于基板濕蝕刻的技術領域,尤指一種批次基板濕式處理裝置,其可提升基板蝕刻的均勻度,避免基板局部區域蝕刻完全,而另外的局部區域卻蝕刻不足,造成基板成品的品質及良率下降的問題。
背景技術
本實用新型創作人有鑒于現有批次基板槽式蝕刻方法對基板蝕刻的均勻度不理想的問題,改良其不足與缺失,進而創作出一種批次基板濕式處理裝置。
實用新型內容
本實用新型主要目的在于提供一種批次基板濕式處理裝置,其可提升基板蝕刻的均勻度,避免基板局部區域蝕刻完全,而另外的局部區域卻蝕刻不足,造成基板成品的品質及良率下降的問題。
為達上述目的,本實用新型批次基板濕式處理裝置包括:
一槽體,在所述槽體內形成有一容槽,所述容槽用于盛載蝕刻液,且用于容納晶舟以及位于所述晶舟中的基板;
一基板升降機構,設置在所述槽體上,且包括一固定座、一升降驅動模塊以及一升降座,所述固定座固定設置在所述槽體外,所述升降驅動模塊以可作動方式設置在所述固定座上,所述升降座固定設置在所述升降驅動模塊上,位于所述容槽內,且可受到所述升降驅動模塊的驅動而相對所述槽體上升到容槽外或是相對所述槽體下降到所述容槽內,所述升降座用于承托所述晶舟及所述晶舟中的基板;
一基板旋轉機構,設置在所述基板升降機構的所述升降座上,且包括一旋轉驅動模塊、一傳動組件以及一從動旋轉組件,所述旋轉驅動模塊固定設置在所述升降座上,所述傳動組件連接所述旋轉驅動模塊并可受到所述旋轉驅動模塊的驅動而作動,所述從動旋轉組件設置在所述升降座上,連接到所述傳動組件,且可受到所述傳動組件的驅動而旋轉,所述從動旋轉組件用于接觸并帶動所述基板進行旋轉;以及
一主控模塊,連接所述基板升降機構以及所述基板旋轉機構,且控制所述基板升降機構的升降以及所述基板旋轉機構的旋轉。
在本實用新型一實施例中,所述升降驅動模塊為一油壓/氣壓缸,在所述油壓/氣壓缸上以可伸縮方式設置一作動桿,所述作動桿連接所述升降座。
在本實用新型一實施例中,所述升降座上形成有一垂直板體,在所述垂直板體底端形成有一水平托板以用于承托所述晶舟。
在本實用新型一實施例中,所述旋轉驅動模塊為一驅動馬達而具有一驅動軸;所述傳動組件包括一垂直傳動桿以及一水平傳動軸,所述垂直傳動桿以可旋轉方式貫穿設置在所述垂直板體上,且與所述驅動軸嚙合,所述水平傳動軸與所述垂直傳動桿嚙合;所述從動旋轉組件包括二水平旋轉帶動桿,所述二水平旋轉帶動桿與所述水平傳動軸嚙合,在各所述水平旋轉帶動桿上形成有一接觸帶動部以用于接觸并且帶動所述基板進行旋轉。
在本實用新型一實施例中,所述二水平旋轉帶動桿位于同一水平位置上。
在本實用新型一實施例中,所述接觸帶動部上形成有多個軸向排列的摩擦肋條。
在本實用新型一實施例中,所述驅動軸與所述垂直傳動桿之間透過二傘形齒輪相互嚙合;所述垂直傳動桿與所述水平傳動軸之間透過二傘形齒輪相互嚙合;所述水平傳動軸與各所述水平旋轉帶動桿之間透過二齒輪相互嚙合。
在本實用新型一實施例中,所述批次基板濕式處理裝置進一步包括一蝕刻速率資料庫模塊,所述蝕刻速率資料庫模塊連接所述主控模塊,且用于提供所述基板各部位受到蝕刻的速率的歷史資料。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





