[實用新型]一種翻轉機構有效
| 申請號: | 201920111147.6 | 申請日: | 2019-01-23 |
| 公開(公告)號: | CN209496842U | 公開(公告)日: | 2019-10-15 |
| 發明(設計)人: | 陳智偉;池育維;黃琮詩 | 申請(專利權)人: | 福建省福聯集成電路有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/677 | 分類號: | H01L21/677;H01L21/683 |
| 代理公司: | 福州市景弘專利代理事務所(普通合伙) 35219 | 代理人: | 徐劍兵;林祥翔 |
| 地址: | 351117 福建省莆*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 基板 翻轉機構 晶圓 通孔 本實用新型 圓滑 貫穿 平整 損傷 占用 延伸 | ||
本實用新型公開一種翻轉機構,其中一種翻轉機構包括基板,基板上下面的一面上設置有平整的膜,基板內設置有多個貫穿基板上下面的通孔,所述通孔延伸并貫穿所述膜。區別于現有技術,上述技術方案由于設置有膜,可以避免堅硬的SiC基板表面直接與晶圓接觸,避免損傷晶圓。同時由于膜的設置,可以增加與晶圓的摩擦力,避免晶圓滑落。基板可以采用其他材質,無需占用SiC基板,也降低了成本。
技術領域
本實用新型涉及翻轉用的機械結構技術領域,尤其涉及一種翻轉機構。
背景技術
晶圓在加工的過程中,要對晶圓進行翻轉。現有的翻轉采用如圖1的方式。翻轉前,晶圓1置于SiC(碳化硅)基板2上,而后采用多孔隙的SiC基板3,在晶圓做翻轉之前將SiC基板3蓋到芯片的正面(front side),雙手拿著對兩個基板和芯片進行翻轉。圖中的文字方向倒過來表示晶圓或者基板被翻轉。最后放到真空吸臺上吸真空,使得基板3將晶圓吸附住,取下原本置于晶圓下方(backside)的SiC基板2,晶圓薄片完成翻轉。這樣有如下問題:1、SiC是硬質材料,在翻轉過程容易對芯片正面(Front side)造成損傷,良率不高。2、使用SiC基板,在翻轉過程中容易發生芯片滑動移位,甚至是掉片的風險。3、多孔隙SiC基板造價過高。4、翻轉時利用干凈SiC基板,是占用上一站制程的器具,影響上一站制程的效率。
實用新型內容
為此,需要提供一種翻轉機構,解決翻轉機構成本高、容易損傷被翻轉物品的問題。
為實現上述目的,發明人提供了一種翻轉機構,包括基板,基板上下面的一面上設置有平整的膜,基板內設置有多個貫穿基板上下面的通孔,所述通孔延伸并貫穿所述膜。
進一步地,所述基板的側面設置有定位缺口。
進一步地,所述膜為藍膜或者所述基板為圓柱形板。
進一步地,還包括針底板,所述針底板上設置有多個針,所述針與所述通孔的排布方式一致使得針底板上的針可以插入到基板上的通孔中。
進一步地,針底板的外周設置有用于插入基板定位缺口的定位針,定位針的高度高于針底板上針的高度。
本實用新型提供一種翻轉機構制作方法,包括如下步驟:
在基板打多個貫穿基板上下面的通孔;
在基板的一面上制作緊貼基板的膜;
用針將通孔上的膜開孔;
打磨膜上的孔的毛邊使得膜表面平滑。
進一步地,所述在基板的一面上制作緊貼基板的膜包括步驟:
先將藍膜與離型膜分離后貼在外框上,進行擴片;
擴片后的藍膜轉到擴張環上;
將基板貼到藍膜有黏性的一面;
沿基板的外型裁剪藍膜。
進一步地,所述在基板打多個貫穿基板上下面的通孔包括步驟:
將基板與針底板緊靠著在一起;
在基板打多個貫穿基板上下面的通孔同時在針底板上打上盲孔;
在針底板上的盲孔上插上多個針;
則所述用針將通孔上的膜開孔包括步驟:
用針底板上的針穿過膜和通孔后完成膜開孔。
進一步地,還包括步驟:
在基板上制作定位缺口;
在針底板上制作用于插入定位缺口的定位針,定位針的高度高于針底板上針的高度。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





