[實用新型]高電子遷移率晶體管

有效

• 申請號: 201920107121.4
• 申請日: 2019-01-22
• 公開（公告）號: CN209747521U
• 公開（公告）日: 2019-12-06
• 發明（設計）人: F·尤克拉諾
• 申請（專利權）人: 意法半導體股份有限公司
• 主分類號: H01L29/778
• 分類號: H01L29/778;H01L29/06
• 代理公司: 11256 北京市金杜律師事務所
• 代理人: 王茂華<國際申請>=<國際公布>=<進入

1.一種高電子遷移率晶體管，其特征在于，包括：

半導體異質結構；

第一摻雜柵極區域，在所述異質結構之上延伸并且包含P型的摻雜劑雜質；

第二摻雜柵極區域，具有與所述第一摻雜柵極區域接觸的第一側和與所述異質結構接觸的第二側，所述第二摻雜柵極區域包含所述P型的摻雜劑雜質，其中所述異質結構包括：

第一部分，在所述第二摻雜柵極區域的所述第二側處延伸，并且具有第一濃度的所述P型的摻雜劑雜質；以及

第二部分，與所述第一部分橫向地延伸，并且具有低于所述第一濃度的第二濃度的所述P型的摻雜劑雜質。

2.根據權利要求1所述的高電子遷移率晶體管，其特征在于：

所述第一摻雜柵極區域具有在10¹⁸cm^-3和5×10¹⁹cm^-3之間的所述P型的摻雜劑雜質的濃度；

所述第二摻雜柵極區域的所述第二側具有在10¹⁸cm^-3和10¹⁹cm^-3之間的所述P型的摻雜劑雜質的濃度；并且

在與所述第二摻雜柵極區域相距20nm的橫向距離處，所述異質結構的所述第二部分具有小于10¹⁷cm^-3的所述P型的摻雜劑雜質的濃度。

3.根據權利要求1所述的高電子遷移率晶體管，其特征在于，所述第二摻雜柵極區域具有在2nm和30nm之間的厚度。

4.根據權利要求1所述的高電子遷移率晶體管，其特征在于，還包括保護區域，所述保護區域在所述異質結構的所述第二部分上、并且在所述第二摻雜柵極區域旁邊延伸，所述保護區域與所述異質結構的所述第二部分和所述第二摻雜柵極區域接觸；所述保護區域具有在1nm和5nm之間的厚度。

5.根據權利要求1所述的高電子遷移率晶體管，其特征在于，還包括與所述異質結構電接觸的源極電極和漏極電極，所述源極電極和所述漏極電極在所述第一摻雜柵極區域和所述第二摻雜柵極區域旁邊、并且在與所述第一摻雜柵極區域和所述第二摻雜柵極區域相距一定距離處延伸。

6.根據權利要求1所述的高電子遷移率晶體管，其特征在于，所述異質結構包括：

溝道層；以及

在所述溝道層上延伸的阻擋層，其中所述溝道層和所述阻擋層是由包括III-V族元素的相應的化合物材料制成的。

7.根據權利要求6所述的高電子遷移率晶體管，其特征在于，所述溝道層由本征氮化鎵制成，并且具有在100nm和1μm之間的厚度，并且所述阻擋層由氮化鋁鎵制成，并且具有在5nm和30nm之間的厚度。

8.根據權利要求1所述的高電子遷移率晶體管，其特征在于，所述第二摻雜柵極區域由本征氮化鎵制成，并且所述第一摻雜柵極區域由包含鎂摻雜劑雜質的氮化鎵制成。