[實(shí)用新型]數(shù)字量產(chǎn)測(cè)試機(jī)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201920101806.8 | 申請(qǐng)日: | 2019-01-22 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN210270062U | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-04-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 蔣松鷹;姚煒;周佳寧;杜黎明;孫洪軍 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 上海艾為電子技術(shù)股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | G01R31/28 | 分類號(hào): | G01R31/28 |
| 代理公司: | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 駱宗力;王寶筠 |
| 地址: | 201199 上海市*** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 數(shù)字 量產(chǎn) 測(cè)試 | ||
本申請(qǐng)公開(kāi)了一種數(shù)字量產(chǎn)測(cè)試機(jī),其中,所述數(shù)字量產(chǎn)測(cè)試機(jī)通過(guò)向量讀取模塊讀取存儲(chǔ)于外部設(shè)備中的數(shù)字測(cè)試向量,使得所述數(shù)字測(cè)試向量的規(guī)模不再受限于FPGA內(nèi)置的RAM的存儲(chǔ)能力的限制,只需設(shè)置能夠滿足存儲(chǔ)要求的外部設(shè)備即可,并且由于所述時(shí)鐘模塊提供了不同的第一時(shí)鐘信號(hào)和第二時(shí)鐘信號(hào),使得所述數(shù)據(jù)緩存模塊可以根據(jù)所述第一時(shí)鐘信號(hào)和第二時(shí)鐘信號(hào),以乒乓緩存的方式緩存所述向量讀取模塊讀取的數(shù)字測(cè)試向量,從而實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)于外部設(shè)備中的數(shù)字測(cè)試向量的讀取和緩存,解決了在量產(chǎn)測(cè)試的過(guò)程中,由于測(cè)試向量的規(guī)模較大,而導(dǎo)致的FPGA內(nèi)置的RAM無(wú)法滿足存儲(chǔ)要求的問(wèn)題。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請(qǐng)涉及集成電路技術(shù)領(lǐng)域,更具體地說(shuō),涉及一種數(shù)字量產(chǎn)測(cè)試機(jī)。
背景技術(shù)
芯片(Integrated Circuit,IC),也稱為集成電路,是一種微型電子器件或部件。采用一定的工藝,把一個(gè)電路中所需的晶體管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起,制作在一小塊或幾小塊半導(dǎo)體晶片或介質(zhì)基片上,然后封裝在一個(gè)管殼內(nèi),成為具有所需電路功能的微型結(jié)構(gòu)。
在芯片封裝完成之后,出廠之前,還需要對(duì)芯片進(jìn)行量產(chǎn)測(cè)試,現(xiàn)在的數(shù)模混合芯片設(shè)計(jì)中,不單單是測(cè)試模擬設(shè)計(jì)的性能,對(duì)于數(shù)字邏輯單元較多的數(shù)模混合芯片,帶復(fù)雜數(shù)字設(shè)計(jì)的,一定要做掃描鏈測(cè)試,以提高產(chǎn)品的供貨良率。而在現(xiàn)有技術(shù)中的量產(chǎn)測(cè)試過(guò)程中,用于量產(chǎn)測(cè)試的測(cè)試向量通常存儲(chǔ)在FPGA(現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列,F(xiàn)ield-Programmable Gate Array)內(nèi)置的RAM(隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,RandomAccess Memory)中。但是對(duì)于測(cè)試向量規(guī)模較大的待測(cè)芯片而言,F(xiàn)PGA內(nèi)置的RAM并不能夠滿足測(cè)試向量的存儲(chǔ)要求。
實(shí)用新型內(nèi)容
為解決上述技術(shù)問(wèn)題,本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N數(shù)字量產(chǎn)測(cè)試機(jī),以解決在量產(chǎn)測(cè)試的過(guò)程中,由于測(cè)試向量的規(guī)模較大,而導(dǎo)致的FPGA內(nèi)置的RAM無(wú)法滿足存儲(chǔ)要求的問(wèn)題。
為解決上述技術(shù)問(wèn)題,本申請(qǐng)實(shí)施例提供了如下技術(shù)方案:
一種數(shù)字量產(chǎn)測(cè)試機(jī),包括:時(shí)鐘模塊、向量讀取模塊和數(shù)據(jù)緩存模塊;其中,
所述時(shí)鐘模塊用于向所述數(shù)據(jù)緩存模塊提供第一時(shí)鐘信號(hào)和第二時(shí)鐘信號(hào);
所述向量讀取模塊用于讀取存儲(chǔ)于外部設(shè)備中的數(shù)字測(cè)試向量;
所述數(shù)據(jù)緩存模塊用于根據(jù)所述第一時(shí)鐘信號(hào)和第二時(shí)鐘信號(hào),以乒乓緩存的方式緩存所述向量讀取模塊讀取的數(shù)字測(cè)試向量,并根據(jù)緩存的數(shù)字測(cè)試向量生成激勵(lì)信號(hào)向待測(cè)芯片傳輸。
可選的,所述數(shù)據(jù)緩存模塊還用于獲取所述待測(cè)芯片傳輸?shù)拇郎y(cè)數(shù)據(jù)。
可選的,還包括:數(shù)據(jù)比較模塊;
所述數(shù)據(jù)比較模塊用于接收上位機(jī)發(fā)送的第三時(shí)鐘信號(hào),并根據(jù)所述第三時(shí)鐘信號(hào)工作,和用于在工作模式時(shí),比較所述待測(cè)數(shù)據(jù)與期待數(shù)據(jù),并根據(jù)比較結(jié)果獲得待測(cè)芯片的向量測(cè)試結(jié)果。
可選的,所述數(shù)據(jù)比較模塊還用于接收上位機(jī)發(fā)送的觸發(fā)信號(hào),并在接收到所述觸發(fā)信號(hào)后,進(jìn)入工作模式。
可選的,所述向量讀取模塊為硬核處理器系統(tǒng);
所述硬核處理器系統(tǒng)根據(jù)所述第一時(shí)鐘信號(hào)工作。
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G01R 測(cè)量電變量;測(cè)量磁變量
G01R31-00 電性能的測(cè)試裝置;電故障的探測(cè)裝置;以所進(jìn)行的測(cè)試在其他位置未提供為特征的電測(cè)試裝置
G01R31-01 .對(duì)相似的物品依次進(jìn)行測(cè)試,例如在成批生產(chǎn)中的“過(guò)端—不過(guò)端”測(cè)試;測(cè)試對(duì)象多點(diǎn)通過(guò)測(cè)試站
G01R31-02 .對(duì)電設(shè)備、線路或元件進(jìn)行短路、斷路、泄漏或不正確連接的測(cè)試
G01R31-08 .探測(cè)電纜、傳輸線或網(wǎng)絡(luò)中的故障
G01R31-12 .測(cè)試介電強(qiáng)度或擊穿電壓
G01R31-24 .放電管的測(cè)試
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