[實用新型]陣列基板和顯示裝置有效
| 申請號: | 201920094767.3 | 申請日: | 2019-01-21 |
| 公開(公告)號: | CN209119103U | 公開(公告)日: | 2019-07-16 |
| 發明(設計)人: | 先建波;程鴻飛;馬永達;喬勇;吳新銀 | 申請(專利權)人: | 北京京東方技術開發有限公司;京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 姜春咸;陳源 |
| 地址: | 100176 北京市北京*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 空置區 像素區 本實用新型 第二電極 第一電極 顯示區 顯示裝置 陣列基板 冗余區 | ||
本實用新型提供一種陣列基板,包括顯示區與該顯示區相鄰的冗余區,所述顯示區包括多個第一像素區,所述冗余區包括多個第二像素區;所述第一像素區包括:設置有第一電極的第一電極區和位于該第一電極區之外的第一空置區;所述第二像素區包括:設置有第二電極的第二電極區和位于該第二電極區之外的第二空置區,至少部分所述第二空置區的面積大于所述第一空置區的面積。本實用新型還提供一種顯示裝置。本實用新型能夠減少顯示不良。
技術領域
本實用新型涉及顯示技術領域,具體涉及一種陣列基板和顯示裝置。
背景技術
在顯示裝置中,顯示區邊緣容易出現顯示不良,可能有多重原因導致,例如:制作過程中產生的工藝殘余物。
實用新型內容
本實用新型旨在至少解決現有技術中存在的技術問題之一,提出了一種陣列基板和顯示裝置,以減少顯示不良。
為了實現上述目的,本實用新型提供一種陣列基板,包括顯示區與該顯示區相鄰的冗余區,所述顯示區包括多個第一像素區,所述冗余區包括多個第二像素區;所述第一像素區包括:設置有第一電極的第一電極區和位于該第一電極區之外的第一空置區;所述第二像素區包括:設置有第二電極的第二電極區和位于該第二電極區之外的第二空置區;至少部分所述第二空置區的面積大于所述第一空置區的面積。
可選地,至少部分所述第二空置區與所述第一空置區的面積之差為所述第一空置區面積的5%~40%。
可選地,至少部分所述第二空置區與所述第二像素區的面積占比大于所述第一空置區與所述第一像素區的面積占比。
可選地,至少部分所述第二空置區與所述第二像素區的面積占比為所述第一空置區與所述第一像素區的面積占比的1.5~9倍。
可選地,所述第一空置區包括多個狹縫,至少一個狹縫的寬度小于所述第二空置區的寬度。
可選地,不同的第一電極之間相互間隔;
或者,所述顯示區中的多個第一電極分為多組,每組包括多個第一電極,同一組中的第一電極彼此相連,不同組的第一電極之間絕緣間隔;
或者,所有第一電極連接為一體。
可選地,所有的第二電極與所有的第一電極連接為一體結構。
可選地,所述第一像素區的面積為所述第二像素區面積的1.5~3倍。
可選地,所述顯示區包括多行和多列所述第一像素區;
所述顯示區沿行方向的兩側中的至少一側設置有多列所述第二像素區;和/或,所述顯示區沿列方向的兩側中的至少一側設置有多行所述第二像素區。
可選地,在位于顯示區同一側的任意兩個所述第二像素區中,遠離所述顯示區的第二像素區中的第二空置區的面積大于或等于靠近所述顯示區的第二像素區中的第二空置區的面積。
可選地,所述第一電極為公共電極,
每個第一像素區中還設置有第一薄膜晶體管和第一像素電極,所述第二像素區中設置有第二薄膜晶體管,所述第一薄膜晶體管和所述第二薄膜晶體管均設置在襯底上,所述第一薄膜晶體管和所述第二薄膜晶體管背離所述襯底的一側設置有鈍化層;所述第一電極和所述第一像素電極均設置在所述鈍化層背離襯底的一側;所述第一像素電極與所述第一薄膜晶體管的漏極電連接。
可選地,所述第一薄膜晶體管的漏極在所述襯底上的正投影與所述第一空置區在所述襯底上的正投影存在第一交疊區,所述第二薄膜晶體管的漏極在所述襯底上的正投影與所述第二空置區在所述襯底上的正投影存在第二交疊區,所述第二交疊區的面積大于或等于所述第一交疊區的面積。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





