[實用新型]一種半導體共晶加熱板有效
| 申請號: | 201920094615.3 | 申請日: | 2019-01-21 |
| 公開(公告)號: | CN209232742U | 公開(公告)日: | 2019-08-09 |
| 發明(設計)人: | 劉漢貴 | 申請(專利權)人: | 中之半導體科技(東莞)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/60 |
| 代理公司: | 東莞市永橋知識產權代理事務所(普通合伙) 44400 | 代理人: | 何新華 |
| 地址: | 523430 廣東省東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 加熱板 共晶 熱電偶安裝孔 半導體 氮氣 凸點 本實用新型 導熱效率 開口端 加熱 側面 | ||
本實用新型提供了一種半導體共晶加熱板,包括加熱板,所述加熱板包括正面和反面,所述加熱板的正面均勻分布有多個凸點共晶臺,每個所述共晶臺上下兩側分別設有上氮氣孔、下氮氣孔,所述加熱板內還設有熱電偶安裝孔,所述熱電偶安裝孔的開口端位于所述加熱板一側面,所述熱電偶安裝孔位于所述凸點共晶臺下側。本實用新型的半導體共晶加熱板,體積較小,結構較薄,導熱效率高。
技術領域
本實用新型涉及半導體加工技術領域,具體涉及一種半導體共晶加熱板。
背景技術
在半導體的加工制造過程中,共晶是一個重要的步驟,關系到產品的質量好壞。現有的共晶方式為:篩選配比合適的錫合金焊料;預熱基片;焊料涂布;在共晶溫度下將芯片和引線焊接到基片上;在加熱的條件下將焊接好的產品進行共晶焊接處理。
對于上述工藝,由于共晶過程溫度較高,而引線表面鍍銀,引線在高溫條件下容易被氧化。另外,為了嚴格控制共晶過程的溫度,一般都需要用熱電偶對共晶位置進行溫度探測,常規的探測方式是利用人工的方式直接將熱電偶的探頭伸入共晶位置,誤差較大。
實用新型內容
針對以上問題,本實用新型提供一種半導體共晶加熱板,體積較小,結構較薄,導熱效率高。
為實現上述目的,本實用新型通過以下技術方案來解決:
一種半導體共晶加熱板,包括加熱板,所述加熱板包括正面和反面,所述加熱板的正面均勻分布有多個凸點共晶臺,每個所述共晶臺上下兩側分別設有上氮氣孔、下氮氣孔,所述加熱板內還設有熱電偶安裝孔,所述熱電偶安裝孔的開口端位于所述加熱板一側面,所述熱電偶安裝孔位于所述凸點共晶臺下側。
具體的,所述加熱板上還設有三個固定孔。
具體的,所述固定孔均為橢圓孔。
具體的,所述加熱板的反面設有“工”型讓位槽,所述上氮氣孔、下氮氣孔均位于所述“工”型讓位槽內。
具體的,所述凸點共晶臺的數量為6個。
本實用新型的有益效果是:
第一、本實用新型的半導體共晶加熱板,體積較小,結構較薄,導熱效率高;
第二、在加熱板表面增加了多個均勻分布的凸點共晶臺,利用凸點共晶臺的凸起結構,將半導體產品的芯片放置于凸點共晶臺上,能夠避免半導體產品的引腳變形;
第三、在凸點共晶臺上下兩側都增加了用于供氮氣通過的氮氣孔,在焊接引線時,通過持續通入氮氣,氮氣作為保護氣體,可避免二極管引線在高溫條件下不被氧化;
第四、熱電偶安裝孔的位置設置在凸點共晶臺下側,可將熱電偶插入熱電偶安裝孔中,能夠精確的探測共晶時的溫度。
附圖說明
圖1為本實用新型的一種半導體共晶加熱板的結構示意圖一。
圖2為本實用新型的一種半導體共晶加熱板的結構示意圖二。
圖3為本實用新型的一種半導體共晶加熱板的俯視圖。
圖4為圖3中B-B面的剖視圖。
附圖標記為:加熱板1、凸點共晶臺2、上氮氣孔3、下氮氣孔4、熱電偶安裝孔5、固定孔6、“工”型讓位槽7。
具體實施方式
下面結合實施例和附圖對本實用新型作進一步詳細的描述,但本實用新型的實施方式不限于此。
如圖1-4所示:
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





