[實用新型]一種管道相控陣檢測校準專用試塊有效
| 申請號: | 201920091480.5 | 申請日: | 2019-01-21 |
| 公開(公告)號: | CN208872711U | 公開(公告)日: | 2019-05-17 |
| 發明(設計)人: | 姚子龍;汪志斌;何永 | 申請(專利權)人: | 洋浦海科石化工程檢測有限公司 |
| 主分類號: | G01N29/30 | 分類號: | G01N29/30 |
| 代理公司: | 廣州三環專利商標代理有限公司 44202 | 代理人: | 陳歡 |
| 地址: | 570100 海南省洋*** | 國省代碼: | 海南;46 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 圓弧塊 試塊 曲線制作 橫通孔 相控陣檢測 專用試塊 校準 本實用新型 圓心 同心圓弧 圓心間隔 左右兩側 上表面 掃查 貫穿 成功 | ||
本實用新型為一種管道相控陣檢測校準專用試塊,包括為長方體的試塊,所述試塊右端設有第一圓弧塊和第二圓弧塊,所述第一圓弧塊和第二圓弧塊為同心圓弧塊,所述第一圓弧塊和第二圓弧塊的圓心設在所述試塊的上表面,所述第一圓弧塊的半徑為所述試塊的高度,所述第二圓弧塊的直徑為第一圓弧塊的半徑,所述第一圓弧塊和第二圓弧塊的寬度之和等于所述試塊的寬度,所述試塊的左右兩側設有若干前后貫穿的橫通孔,所述橫通孔的左右間距大于281mm,同一側的所述橫通孔之間的圓心間隔在15mm以上,本裝置滿足TCG曲線制作時的掃查距離要求,同時消除TCG曲線制作時產生的干擾,確保TCG曲線制作成功。
技術領域
本實用新型涉及屬于超聲檢測技術領域,特別涉及一種管道相控陣檢測校準專用試塊。
背景技術
我們常用的脈沖反射超聲檢測探頭都是采用單個晶片實現自發自收或者兩個晶片實現一發一收的工作模式對工件進行缺陷檢測,在進行檢測時需要一定的探頭掃查空間以保證超聲場對整個被檢位置的覆蓋。而相控陣超聲成像技術主要是通過控制相控陣探頭中各個陣用激勵或接收脈沖的時間延遲,改變各陣元發射或接收聲波到達物體內某點時的相位關系,實現焦點和聲束方位的變化,從而完成相控陣波束合成,形成成像掃描線的技術,可以給出A型、B型、C型、D型、S型及3D掃描成像技術,由于相控陣獨特的優點使得其在檢測領域大放光芒,但是由于是一種新技術,國家還未制定相控陣超聲檢測對應的標準,故目前只能參考脈沖反射法超聲試塊來調節相控陣儀器,但是相控陣超聲和脈沖反射法超聲還是存在一些差別,目前的NB/T47013.3-2015《承壓設備超聲檢測標準》中的GS試塊無法滿足TCG曲線制作時的掃查距離要求,同時GS試塊橫通孔數量過多,有的兩個橫通孔之間的間隔差距過小,這樣在相控陣檢測校準過程中進行TCG曲線制作的時候會進行干擾,因為相控陣TCG曲線制作過程中深度閘門具有一定的寬度范圍,這樣如果試塊中兩個橫通孔深度差太小就容易導致TCG曲線制作失敗從而無法完成校準工作,所以目前傳統的GS試塊已經無法適用于相控陣超聲檢測的校準工作。
發明內容
鑒以此,本實用新型提供了一種管道相控陣檢測校準專用試塊,滿足TCG曲線制作時的掃查距離要求,同時消除TCG曲線制作的時候產生的干擾,確保TCG曲線制作成功完成校準工作。
本實用新型的技術方案是這樣實現的:
本實用新型提供了一種管道相控陣檢測校準專用試塊,包括為長方體的試塊,所述試塊右端設有第一圓弧塊和第二圓弧塊,所述第一圓弧塊和第二圓弧塊為同心圓弧塊,所述第一圓弧塊和第二圓弧塊的圓心設在所述試塊的上表面,所述第一圓弧塊的半徑為所述試塊的高度,所述第二圓弧塊的直徑為第一圓弧塊的半徑,所述第一圓弧塊和第二圓弧塊的寬度之和等于所述試塊的寬度,所述試塊的左右兩側設有若干前后貫穿的橫通孔,所述橫通孔的左右間距大于281mm,同一側的所述橫通孔之間的圓心間隔在15mm以上。
優選的,所述試塊外側套設有對所述試塊加熱的加熱套環,所述加熱套環與所述試塊活動連接,所述加熱套環與外接電源電連接。
優選的,所述試塊、第一圓弧塊和第二圓弧塊為一體式結構。
優選的,所述試塊的寬度為30mm,所述試塊高度為100mm,左右兩側的所述橫通孔均為豎向排列,左側的所述橫通孔距離所述試塊最左側的水平距離為50mm,右側的所述橫通孔到所述第一圓弧塊的圓心的水平距離為50mm,左右兩側的所述橫通孔的間距為300mm。
優選的,左側的所述橫通孔為第一橫通孔、第二橫通孔和第三橫通孔,所述第一橫通孔、所述第二橫通孔和第三橫通孔的圓心到所述試塊上表面的距離依次為10mm、30mm和50mm,右側的所述橫通孔為第四橫通孔和第五橫通孔,所述第四橫通孔和第五橫通孔的圓心到所述試塊上表面的距離依次為5mm和20mm。
優選的,所述第一橫通孔、第二橫通孔、第三橫通孔、第四橫通孔和第五橫通孔的直徑均為2mm。
與現有技術相比,本實用新型的有益效果是:
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