[實用新型]一種導(dǎo)電膜有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201920080321.5 | 申請日: | 2019-01-17 |
| 公開(公告)號: | CN209168761U | 公開(公告)日: | 2019-07-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 周小紅;基亮亮;劉麟躍;姚益明 | 申請(專利權(quán))人: | 蘇州維業(yè)達觸控科技有限公司;蘇州蘇大維格科技集團股份有限公司;蘇州大學 |
| 主分類號: | H01B5/14 | 分類號: | H01B5/14;H01B13/00 |
| 代理公司: | 上海波拓知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31264 | 代理人: | 張媛 |
| 地址: | 215026 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 第二導(dǎo)電層 絕緣層 第一導(dǎo)電層 導(dǎo)電膜 結(jié)構(gòu)層 導(dǎo)電層 基材 本實用新型 不一致 對位 保證 | ||
1.一種導(dǎo)電膜,其特征在于,包括基材、結(jié)構(gòu)層、第一導(dǎo)電層、第二導(dǎo)電層和絕緣層,所述結(jié)構(gòu)層設(shè)置在所述基材上,所述結(jié)構(gòu)層設(shè)有深度相同的多個凹槽,所述第一導(dǎo)電層、所述第二導(dǎo)電層和所述絕緣層設(shè)置在所述多個凹槽內(nèi),其中,所述第一導(dǎo)電層的圖形與所述第二導(dǎo)電層的圖形不相同,所述第二導(dǎo)電層的圖形至少與所述絕緣層的部分圖形相同。
2.如權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電膜,其特征在于,所述絕緣層的圖形與所述多個凹槽形成的圖形相同。
3.如權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電膜,其特征在于,所述第二導(dǎo)電層與所述第一導(dǎo)電層部分重疊,且二者重疊部分之間具有所述絕緣層。
4.如權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電膜,其特征在于,所述凹槽的深度為8-30um,寬度為1-20um。
5.如權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電膜,其特征在于,所述第一導(dǎo)電層和所述第二導(dǎo)電層的厚度均為1-10um,二者寬度均與所述凹槽寬度相等。
6.如權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電膜,其特征在于,所述絕緣層的厚度為2-15um,其寬度與所述凹槽寬度相等。
7.如權(quán)利要求1至6任一項所述的導(dǎo)電膜,其特征在于,還包括設(shè)置在最外層導(dǎo)電層上的保護層,所述保護層的圖形與所述多個凹槽形成的圖形相同。
8.如權(quán)利要求7所述的導(dǎo)電膜,其特征在于,所述保護層的厚度為2-10um,其寬度與所述凹槽寬度相等。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于蘇州維業(yè)達觸控科技有限公司;蘇州蘇大維格科技集團股份有限公司;蘇州大學,未經(jīng)蘇州維業(yè)達觸控科技有限公司;蘇州蘇大維格科技集團股份有限公司;蘇州大學許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201920080321.5/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
專利文獻下載
說明:
1、專利原文基于中國國家知識產(chǎn)權(quán)局專利說明書;
2、支持發(fā)明專利 、實用新型專利、外觀設(shè)計專利(升級中);
3、專利數(shù)據(jù)每周兩次同步更新,支持Adobe PDF格式;
4、內(nèi)容包括專利技術(shù)的結(jié)構(gòu)示意圖、流程工藝圖或技術(shù)構(gòu)造圖;
5、已全新升級為極速版,下載速度顯著提升!歡迎使用!





