[實(shí)用新型]一種污水深度凈化裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201920079983.0 | 申請(qǐng)日： | 2019-01-17 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN210012702U | 公開（公告）日： | 2020-02-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 吳以伯;閆承凱 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 大淵環(huán)境技術(shù)(廈門)有限公司 |
| 主分類號(hào)： | C02F9/14 | 分類號(hào)： | C02F9/14;C02F101/16 |
| 代理公司： | 44202 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 | 代理人： | 郭錦輝;陳藝琴 |
| 地址： | 361000 福建省廈門市思明區(qū)*** | 國(guó)省代碼： | 福建;35 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 等離子體單元 混凝沉淀池 生化處理池 脫氮單元 二沉池 氫還原 曝氣沉砂池 格柵 沉淀 氣體處理單元 污泥濃縮單元 污水深度凈化 本實(shí)用新型 曝氣沉淀池 格柵過濾 混凝沉淀 生化處理 依次連接 氨氮 凈水 脫除 總氮 污水 | ||
1.一種污水深度凈化裝置，其特征在于，包括格柵，曝氣沉砂池，生化處理池，二沉池，等離子體單元，氫還原脫氮單元，混凝沉淀池，氣體處理單元和污泥濃縮單元；
所述等離子體單元包括等離子體機(jī)；
所述污泥濃縮單元包括污泥濃縮池和污泥脫水機(jī)；
所述格柵，曝氣沉砂池，生化處理池，二沉池，等離子體單元，氫還原脫氮單元，混凝沉淀池依次連接，污水經(jīng)過格柵過濾和曝氣沉淀池沉淀后經(jīng)過生化處理池和二沉池進(jìn)行生化處理及沉淀，然后經(jīng)過等離子體單元處理后進(jìn)入氫還原脫氮單元脫除氨氮和總氮最后再經(jīng)過混凝沉淀池進(jìn)行混凝沉淀；
污泥濃縮單元?jiǎng)t對(duì)所述格柵，曝氣沉砂池，生化處理池，二沉池，氫還原脫氮單元和混凝沉淀池產(chǎn)生的沉淀進(jìn)行污泥濃縮及過濾；
所述氣體處理單元對(duì)所述生化處理池和二沉池產(chǎn)生的沼氣經(jīng)收集、淋洗、吸收和凈化處理。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的污水深度凈化裝置，其特征在于，水體分別通過提升泵泵入所述生化處理池和等離子體單元。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的污水深度凈化裝置，其特征在于，所述格柵包括粗格柵和細(xì)格柵。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3之一所述的污水深度凈化裝置，其特征在于，所述生化處理池為氧化溝生化處理系統(tǒng)、AA/O生化處理系統(tǒng)、SBR生化處理系統(tǒng)或生物曝氣過濾處理系統(tǒng)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的污水深度凈化裝置，其特征在于，所述氧化溝生化處理系統(tǒng)是Pasveer氧化溝、T型三溝式氧化溝、DE型氧化溝、Carrousel氧化溝或Orbal氧化溝。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的污水深度凈化裝置，其特征在于，所述AA/O生化處理系統(tǒng)是應(yīng)用的A2/O工藝或UCT工藝。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的污水深度凈化裝置，其特征在于，所述SBR生化處理系統(tǒng)是應(yīng)用傳統(tǒng)SBR工藝、CAST工藝、UNITANK工藝或MSBR工藝。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-3之一所述的污水深度凈化裝置，其特征在于，所述等離子體機(jī)的脈沖工作電壓為350～10000V，相鄰兩電極間的電壓為6～9V，頻率為2400～2600MHz，電流密度為1～600mA/cm2,步驟(4)中污水在電解機(jī)中的停留時(shí)間為5s～10min。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-3之一所述的污水深度凈化裝置，其特征在于，所述等離子體機(jī)設(shè)有脈沖電源和等離子發(fā)生槽，所述離子發(fā)生槽內(nèi)的陰極為鈦、鐵、鋁、鋅、銅、鉛、鎳、鉬、鉻、有貴金屬氧化物涂層的惰性電極中的一種，陽(yáng)極為有貴金屬氧化物涂層的惰性電極，電極為板狀或網(wǎng)狀。
10.根據(jù)權(quán)利要求1-3之一所述的污水深度凈化裝置，其特征在于，所述混凝沉淀池中的混凝沉淀使用的混凝劑為鐵鹽、鋁鹽、聚鋁、聚鐵的一種或任意兩種以上組合；所述鐵鹽為硫酸鐵、硫酸亞鐵；所述鋁鹽為硫酸鋁或氯化鋁；所述聚鋁為聚合氯化鋁、聚合硫酸鋁或聚合硅酸鋁；所述聚鐵為聚合氯化鐵、聚合硫酸鐵或聚合硅酸鐵；所述混凝劑的用量為1～50g/m3。
11.根據(jù)權(quán)利要求1-3之一所述的污水深度凈化裝置，其特征在于，所述混凝沉淀池中的混凝沉淀中使用的助凝劑為PAM，用量為1～3g/m3。
12.根據(jù)權(quán)利要求1-3之一所述的污水深度凈化裝置，其特征在于，在所述混凝沉淀池前設(shè)置pH檢測(cè)裝置，當(dāng)檢測(cè)水體的pH小于7時(shí)，在水體中加入氫氧化鈉或碳酸鈉調(diào)節(jié)水體的pH值為7～9。
13.根據(jù)權(quán)利要求1-3之一所述的污水深度凈化裝置，其特征在于，在所述曝氣沉砂池和生化處理池之間設(shè)置初沉池。
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