[實用新型]碳化硅UMOSFET器件

有效

• 申請號: 201920068385.3
• 申請日: 2019-01-16
• 公開（公告）號: CN209447806U
• 公開（公告）日: 2019-09-27
• 發明（設計）人: 卓廷厚;李釗君;劉延聰
• 申請（專利權）人: 廈門芯光潤澤科技有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/812;H01L29/06;H01L21/336;H01L29/423
• 代理公司: 廈門仕誠聯合知識產權代理事務所(普通合伙) 35227
• 代理人: 吳圳添

1.一種碳化硅UMOSFET器件，其特征在于，自下而上包括漏電極層、N+碳化硅襯底和N-外延層；

N-外延層具有第一P-阱區、第一N+注入區、第二P-阱區、第二N+注入區、第一凹槽、第二凹槽和第三凹槽；

第一凹槽的右側壁為第一N+注入區和部分高度的第一P-阱區；

第二凹槽的左側壁為第二N+注入區和部分高度的第二P-阱區；

第三凹槽的左側壁為第一N+注入區、第一P-阱區和部分高度的N-外延層，第三凹槽的右側壁為第二N+注入區、第二P-阱區和部分高度的N-外延層；

第一柵結構，覆蓋第三凹槽左側壁和第一N+注入區上表面；

第二柵結構，覆蓋第三凹槽右側壁和第二N+注入區上表面；

第一柵結構和第二柵結構之間留有第三凹槽的第一底面；

第三凹槽底部下方具有多個P+注入區，相鄰P+注入區之間具有間隔；

第一金屬，第一金屬覆蓋第一凹槽和第二凹槽表面，第一金屬與第一N+注入區和第一P-阱區形成第一歐姆接觸，第一金屬與第二N+注入區和第二P-阱區也形成第一歐姆接觸；

第二金屬，第二金屬與間隔的上表面形成肖特基接觸，第二金屬與P+注入區形成第二歐姆接觸；

第三金屬，第三金屬覆蓋第一金屬和第二金屬，同時第三金屬填充剩余的第一凹槽、剩余的第二凹槽和剩余的第三凹槽。

2.如權利要求1所述的碳化硅UMOSFET器件，其特征在于，

所述第一柵結構包括第一柵介質層、第一柵極和第一隔離鈍化層；

第一柵介質層，覆蓋所述第一N+注入區上表面、所述第三凹槽左側壁和所述第三凹槽部分底面；

第一柵極，位于第一柵介質層表面，并填充部分所述第三凹槽；

第一隔離鈍化層，覆蓋第一柵極，并填充部分所述第三凹槽；

所述第二柵結構包括第二柵介質層、第二柵極和第二隔離鈍化層；

第二柵介質層，覆蓋所述第二N+注入區上表面、所述第三凹槽右側壁和所述第三凹槽部分底面；

第二柵極，位于第二柵介質層表面，并填充部分所述第三凹槽；

第二隔離鈍化層，覆蓋第二柵極，并填充部分所述第三凹槽；

第一柵介質層和第二柵介質層之間為所述第一底面。

3.如權利要求1所述的碳化硅UMOSFET器件，其特征在于，所述第三凹槽的深度為0.5μm～3.0μm。

4.如權利要求1所述的碳化硅UMOSFET器件，其特征在于，相鄰所述P+注入區之間的距離相等，所述P+注入區寬度為1.5μm～5μm。

5.如權利要求1所述的碳化硅UMOSFET器件，其特征在于，所述間隔的寬度為1.5μm～5μm。

6.如權利要求1所述的碳化硅UMOSFET器件，其特征在于，所述P+注入區深度為0.3μm～2.5μm。

7.如權利要求1所述的碳化硅UMOSFET器件，其特征在于，所述第三凹槽拐角下方的所述P+注入區包裹所述第三凹槽的底部拐角。