[實(shí)用新型]一種提升發(fā)光亮度的氮化物發(fā)光二極管

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201920057217.4
• 申請(qǐng)日: 2019-01-14
• 公開（公告）號(hào): CN209515725U
• 公開（公告）日: 2019-10-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 顧偉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 江西兆馳半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/06
• 分類號(hào): H01L33/06;H01L33/32
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種提升發(fā)光亮度的氮化物發(fā)光二極管，包括襯底，以及依次位于襯底上的緩沖層、非摻雜氮化物層、n型氮化物層、有源層和p型氮化物層；其特征在于：所述有源層是由In_xGa_1-xN的阱層和In_yAl_zGa_1-y-zN的壘層周期性交替堆疊而形成的多量子阱結(jié)構(gòu)，所述有源層由生長方向依次包括第一多量子阱層、第二多量子阱層和第三多量子阱層，所述第一多量子阱層為第一阱層和第一壘層由n1個(gè)周期交替堆疊而形成、第二多量子阱層為第二阱層和第二壘層由n2個(gè)周期交替堆疊而形成、第三多量子阱層為第三阱層和第三壘層由n3個(gè)周期交替堆疊而形成，所述n1、n2和n3為正整數(shù)且2≤n1、n2、n3≤12。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提升發(fā)光亮度的氮化物發(fā)光二極管，其特征在于：所述第一阱層、第二阱層和第三阱層的厚度為1～5nm，所述第一壘層、第二壘層和第三壘層的厚度為5～20nm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提升發(fā)光亮度的氮化物發(fā)光二極管，其特征在于：所述緩沖層為In_aAl_bGa_1-a-bN，其中0≤a≤0.2,0≤b≤1,0≤a+b≤1，厚度為5～100nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提升發(fā)光亮度的氮化物發(fā)光二極管，其特征在于：所述非摻雜氮化物層為In_cAl_dGa_1-c-dN，其中0≤c≤0.2,0≤d≤1,0≤c+d≤1，厚度為1～5μm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提升發(fā)光亮度的氮化物發(fā)光二極管，其特征在于：所述n型氮化物層為In_eAl_fGa_1-e-fN，其中0≤e≤0.2,0≤f≤1,0≤e+f≤1，厚度為1～5μm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提升發(fā)光亮度的氮化物發(fā)光二極管，其特征在于：所述p型氮化物層為In_gAl_hGa_1-g-hN，其中0≤p≤0.2,0≤q≤1,0≤g+h≤1，厚度為20～200nm。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提升發(fā)光亮度的氮化物發(fā)光二極管，其特征在于：所述襯底為藍(lán)寶石(Al₂O₃)襯底、硅(Si)襯底、碳化硅(SiC)襯底、氮化鋁(AlN)襯底、氮化鎵(GaN)襯底、氧化鎵(Ga₂O₃)襯底或氧化鋅(ZnO)襯底中的一種。