[實(shí)用新型]一種基于MgO:LN晶體電光腔倒空全固態(tài)脈沖激光器有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201920037577.8 | 申請(qǐng)日: | 2019-01-10 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN209200367U | 公開(kāi)(公告)日: | 2019-08-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 盧一鑫;成楨;楊森林;付福興;趙小俠;王紅英 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 西安文理學(xué)院 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01S3/108 | 分類(lèi)號(hào): | H01S3/108;H01S3/115;H01S3/16 |
| 代理公司: | 西安利澤明知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 61222 | 代理人: | 賈曉玲 |
| 地址: | 710000 陜*** | 國(guó)省代碼: | 陜西;61 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 布儒斯特鏡 全反射鏡 脈沖激光器 本實(shí)用新型 電光晶體 激光晶體 晶體電光 腔倒空 全固態(tài) 橫向半波電壓 摻雜氧化鎂 高峰值功率 鈮酸鋰晶體 個(gè)數(shù)量級(jí) 價(jià)格優(yōu)勢(shì) 抗光干擾 市場(chǎng)開(kāi)發(fā) 依次設(shè)置 大能量 非摻雜 光強(qiáng)比 窄脈沖 鈮酸鋰 變性 生產(chǎn)成本 | ||
本實(shí)用新型公開(kāi)了一種基于MgO:LN晶體電光腔倒空全固態(tài)脈沖激光器,包括第一全反射鏡1、激光晶體2、第一布儒斯特鏡3、電光晶體4、第二布儒斯特鏡5、第二全反射鏡6,所述第二全反射鏡6設(shè)置在第二布儒斯特鏡5的上方,所述第一全反射鏡1、激光晶體2、第一布儒斯特鏡3、電光晶體4、第二布儒斯特鏡5水平依次設(shè)置。本實(shí)用新型采用摻雜氧化鎂的鈮酸鋰(MgO:LN)晶體較一般非摻雜鈮酸鋰晶體(LN)橫向半波電壓較低,可大幅提高其抗光干擾性和抗光折變性,承受光強(qiáng)比一般LN晶體提高了兩個(gè)數(shù)量級(jí),特別是低廉的生產(chǎn)成本使其在大能量、窄脈沖寬度、高峰值功率的脈沖激光器市場(chǎng)開(kāi)發(fā)中具有價(jià)格優(yōu)勢(shì)。
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及激光器領(lǐng)域,尤其涉及一種基于MgO:LN晶體電光腔倒空全固態(tài)脈沖激光器。
背景技術(shù)
基于增益介質(zhì)激發(fā)上能級(jí)儲(chǔ)能的電光腔倒空激光器可以獲得脈沖寬度5ns左右的短脈沖激光輸出,但基于LD端面泵浦效率較低,光路較復(fù)雜,常見(jiàn)的電光晶體BBO、KD*P易潮解,RTP價(jià)格較貴,LGS損傷閾值較低,影響使用,或者脈沖重復(fù)頻率偏低,限制了其應(yīng)用范圍。
實(shí)用新型內(nèi)容
為解決現(xiàn)有技術(shù)中的上述缺陷,本實(shí)用新型公開(kāi)了一種基于MgO:LN晶體電光腔倒空全固態(tài)脈沖激光器。
本實(shí)用新型是通過(guò)以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)的:
一種基于MgO:LN晶體電光腔倒空全固態(tài)脈沖激光器,包括第一全反射鏡、激光晶體、第一布儒斯特鏡、電光晶體、第二布儒斯特鏡、第二全反射鏡,所述第二全反射鏡設(shè)置在第二布儒斯特鏡的上方,所述第一全反射鏡、激光晶體、第一布儒斯特鏡、電光晶體、第二布儒斯特鏡水平依次設(shè)置。
優(yōu)選地,第一全反射鏡為平面全反射鏡,鍍制1064nm高反膜。
優(yōu)選地,所述激光晶體為Nd:YAG晶體棒,其尺寸為ф3mm×67mm,其兩個(gè)通光鍍制1.06um高反膜。
優(yōu)選地,所述第一布儒斯特鏡、第二布儒斯特鏡的厚度均為2mm,直徑均為20mm,第一布儒斯特鏡鏡面法線(xiàn)方向與諧振腔通光軸之間的夾角為145.0°-146.0°布儒斯特角;第二布儒斯特鏡鏡面法線(xiàn)方向與諧振腔通光軸之間的夾角55.0°-56.0°布儒斯特角。
優(yōu)選地,所述電光晶體為MgO:LN晶體,其尺寸為7mm×7mm×20mm,兩個(gè)通光鍍制1064nm高反膜。
優(yōu)選地,所述第二全反射鏡為平凹鏡,曲率半徑為1m,其鍍制1064nm高反膜。
本實(shí)用新型的有益效果是:
摻雜氧化鎂的鈮酸鋰(MgO:LN)晶體在具備一般非摻雜鈮酸鋰晶體(LN)橫向半波電壓較低的優(yōu)點(diǎn)同時(shí),摻雜氧化鎂可大幅提高其抗光干擾性和抗光折變性,承受光強(qiáng)比一般LN晶體提高了兩個(gè)數(shù)量級(jí),特別是低廉的生產(chǎn)成本使其在大能量、窄脈沖寬度、高峰值功率的脈沖激光器市場(chǎng)開(kāi)發(fā)中具有價(jià)格優(yōu)勢(shì)。
附圖說(shuō)明
圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖中:1.第一全反射鏡 2.激光晶體 3.第一布儒斯特鏡 4.電光晶體 5.第二布儒斯特鏡 6.第二全反射鏡。
具體實(shí)施方式
為使本實(shí)用新型的技術(shù)方案便于理解,下面結(jié)合具體實(shí)施例與附圖說(shuō)明對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的說(shuō)明。
如圖1所示,一種基于MgO:LN晶體電光腔倒空全固態(tài)脈沖激光器,包括第一全反射鏡1、激光晶體2、第一布儒斯特鏡3、電光晶體4、第二布儒斯特鏡5、第二全反射鏡6,所述第二全反射鏡6設(shè)置在第二布儒斯特鏡5的上方,所述第一全反射鏡1、激光晶體2、第一布儒斯特鏡3、電光晶體4、第二布儒斯特鏡5水平依次設(shè)置。
第一全反射鏡為平面全反射鏡,鍍制1064nm高反膜。
該專(zhuān)利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)。該專(zhuān)利全部權(quán)利屬于西安文理學(xué)院,未經(jīng)西安文理學(xué)院許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買(mǎi)此專(zhuān)利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201920037577.8/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專(zhuān)利網(wǎng)。
- 同類(lèi)專(zhuān)利
- 專(zhuān)利分類(lèi)
H01S 利用受激發(fā)射的器件
H01S3-00 激光器,即利用受激發(fā)射對(duì)紅外光、可見(jiàn)光或紫外線(xiàn)進(jìn)行產(chǎn)生、放大、調(diào)制、解調(diào)或變頻的器件
H01S3-02 .結(jié)構(gòu)零部件
H01S3-05 .光學(xué)諧振器的結(jié)構(gòu)或形狀;包括激活介質(zhì)的調(diào)節(jié);激活介質(zhì)的形狀
H01S3-09 .激勵(lì)的方法或裝置,例如泵激勵(lì)
H01S3-098 .模式鎖定;模式抑制
H01S3-10 .控制輻射的強(qiáng)度、頻率、相位、極化或方向,例如開(kāi)關(guān)、選通、調(diào)制或解調(diào)





