[實用新型]一種低暗電流臺面型雪崩單光子探測器

有效

• 申請號: 201920036772.9
• 申請日: 2019-01-10
• 公開（公告）號: CN209447826U
• 公開（公告）日: 2019-09-27
• 發明（設計）人: 李冠海;陳碧城;歐凱;郁菲蘢;趙增月;陳金;陳效雙;陸衛
• 申請（專利權）人: 中國科學院上海技術物理研究所
• 主分類號: H01L31/107
• 分類號: H01L31/107;H01L31/0296;H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/18
• 代理公司: 上海滬慧律師事務所 31311
• 代理人: 郭英

1.一種低暗電流臺面型雪崩單光子探測器，包括襯底(1)、緩沖層(2)、P型層(3)、本征層(4)、N型層(5)、陰極引出端(6)、陽極引出端(7)、鈍化層(8)，其特征在于：

所述探測器的結構為：在所述的襯底(1)上依次生長緩沖層(2)、P型層(3)、本征層(4)、N型層(5)、鈍化層(8)；所述的陰極引出端(6)在橫向距離本征層(4)20μm的襯底(1)上，陽極引出端(7)位于N型層(5)上面。

2.根據權利要求1所述的一種低暗電流臺面型雪崩單光子探測器,其特征在于，所述的襯底(1)材料為碲鋅鎘、砷化鎵、碲化鎘或硅。

3.根據權利要求1所述的一種低暗電流臺面型雪崩單光子探測器，其特征在于，所述的緩沖層(2)為碲化鎘，厚度范圍為0.8mm～1.2mm。

4.根據權利要求1所述的一種低暗電流臺面型雪崩單光子探測器，其特征在于，所述的P型層(3)為Hg空位摻雜的P型碲鎘汞，厚度范圍為7μm～9μm。

5.根據權利要求1所述的一種低暗電流臺面型雪崩單光子探測器，其特征在于，所述本征層(4)為非故意摻雜的N-型碲鎘汞，厚度范圍在0.2μm～1μm。

6.根據權利要求1所述的一種低暗電流臺面型雪崩單光子探測器，其特征在于，所述的N型層(5)的厚度范圍為2.8μm～3.2μm。

7.根據權利要求1所述的一種低暗電流臺面型雪崩單光子探測器，其特征在于，所述的陰極引出端(6)為Cr和Au或Sn和Au雙層電極，下層與臺面結構接觸的歐姆接觸層為鉻或錫，上層金屬導電層為金，位置在距離臺面邊緣18μm～22μm。

8.根據權利要求1所述的一種低暗電流臺面型雪崩單光子探測器，其特征在于，所述的陽極引出端(7)為Cr和Au或Sn和Au雙層電極，下層與臺面結構接觸的歐姆接觸層為鉻或錫，上層金屬導電層為金，位于N型層(5)中心。

9.根據權利要求1所述的一種低暗電流臺面型雪崩單光子探測器，其特征在于，所述的鈍化層(8)為CdTe與ZnS雙層鈍化膜，ZnS在下CdTe在上。