[實(shí)用新型]一種應(yīng)用于顯示器件的封裝結(jié)構(gòu)以及顯示屏體有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201920036434.5 | 申請(qǐng)日: | 2019-01-09 |
| 公開(公告)號(hào): | CN209071382U | 公開(公告)日: | 2019-07-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 葛晶濤;李素華;龍全;楊堃森 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 云谷(固安)科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L51/52 | 分類號(hào): | H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京布瑞知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11505 | 代理人: | 孟潭 |
| 地址: | 065000 河*** | 國(guó)省代碼: | 河北;13 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示器件 顯示屏體 阻隔層 封裝結(jié)構(gòu) 水氧 本實(shí)用新型 封裝層 應(yīng)用 浸入 水汽 概率 發(fā)光 侵入 入侵 阻擋 | ||
1.一種應(yīng)用于顯示器件的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,包括:
設(shè)置在所述顯示器件的顯示發(fā)光面上的第一阻隔層;
層疊設(shè)置在所述第一阻隔層遠(yuǎn)離所述顯示發(fā)光面的表面的封裝層;以及
層疊設(shè)置在所述封裝層遠(yuǎn)離所述顯示發(fā)光面的表面的第二阻隔層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第一阻隔層包括:至少一個(gè)第一無機(jī)阻隔層;和/或
所述第二阻隔層包括至少一個(gè)第二無機(jī)阻隔層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,
所述第一阻隔層進(jìn)一步包括至少一個(gè)第一有機(jī)層,其中,所述第一有機(jī)層設(shè)置在相鄰的兩個(gè)所述第一無機(jī)阻隔層之間或單個(gè)所述第一無機(jī)阻隔層的一側(cè);和/或,
所述第二阻隔層進(jìn)一步包括至少一個(gè)第二有機(jī)層,所述第二有機(jī)層設(shè)置在相鄰的兩個(gè)所述第二無機(jī)阻隔層之間或單個(gè)所述第二無機(jī)阻隔層的一側(cè)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第一阻隔層的厚度為0.1-0.5um;和/或,
所述第二阻隔層的厚度為0.5-1um。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述封裝結(jié)構(gòu)進(jìn)一步包括:設(shè)置在所述封裝層周邊的邊緣封裝層。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述邊緣封裝層包括:依次包覆在所述封裝層周邊的干燥作用層以及第三有機(jī)層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述封裝層包括在顯示器件發(fā)光方向上依次疊加設(shè)置的第一無機(jī)層、第四有機(jī)層以及第二無機(jī)層,其中,所述第二無機(jī)層將所述第四有機(jī)層包覆在所述第一無機(jī)層的表面上;
其中,所述干燥作用層包覆所述第一無機(jī)層與所述第二無機(jī)層的結(jié)合縫隙。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第三有機(jī)層包覆所述干燥作用層的周邊,并覆蓋所述干燥作用層遠(yuǎn)離所述第一無機(jī)層的表面。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第二阻隔層覆蓋所述封裝層以及所述邊緣封裝層。
10.一種顯示屏體,其特征在于,包括:
基板;
設(shè)置在所述基板一側(cè)的顯示器件發(fā)光層;以及,
設(shè)置在所述顯示器件發(fā)光層遠(yuǎn)離所述基板的表面上的封裝結(jié)構(gòu),所述封裝結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)采用如權(quán)利要求1至9任一項(xiàng)所述的封裝結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的;具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機(jī)發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





