[實用新型]一種壓緊彈片以及散熱結構有效
| 申請號: | 201920030599.1 | 申請日: | 2019-01-08 |
| 公開(公告)號: | CN209947831U | 公開(公告)日: | 2020-01-14 |
| 發明(設計)人: | 郭庭;楊錫旺 | 申請(專利權)人: | 常州索維爾電子科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/40 | 分類號: | H01L23/40 |
| 代理公司: | 31227 上海伯瑞杰知識產權代理有限公司 | 代理人: | 孟旭彤 |
| 地址: | 213000 江蘇省常州*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 壓緊彈片 電力電子器件 壓點 散熱座 螺孔 壓緊 螺釘 緊固 | ||
一種壓緊彈片,該壓緊彈片的本體呈現為“S”形,在本體下方連接的連接部具有螺孔,所述壓緊彈片用于壓緊電力電子器件于散熱座內,連接部的螺孔用于使用螺釘將所述壓緊彈片和電力電子器件緊固在散熱座內,當所述壓緊彈片壓緊電力電子器件時,其本體的“S”形狀使得壓緊彈片對于所述電力電子器件表面具有2個壓點,這2個壓點分別是位于“S”形頭部的第一壓點和位于“S”形尾部的第二壓點。
技術領域
本實用新型屬于電力電子器件技術領域,特別涉及一種壓緊彈片以及采用該壓緊彈片的散熱結構。
背景技術
目前新能源汽車、軌道交通、工業控制等領域,如車載充電機、直流交換器、交流交換器、二合一系統集成及三合一系統集成等,都會使用MOSFET、IGBT電子器件集合到PCB板上,從而實現電路的開關控制。由于MOSFET、IGBT電子器件在實現電路的開關控制中可靠、精確、壽命長、工作頻率高等優點,因而得到廣泛的使用。而MOSFET、IGBT電子器件的本身功率損耗帶來嚴重的發熱,如何解決器件溫升,保證電路正常工作,成為了在電路設計中必須解決的問題。
然而現有的在MOSFET,IGBT電子器件集合到PCB板上后,解決散熱問題的方法大多需要使用螺釘固定,因而在結構設計上增加了鎖緊螺釘扳手工具的空間,限制了結構設計的有效使用,導致體積變大、重量增重,成本增加。
實用新型內容
本實用新型提供了一種壓緊彈片以及散熱結構,目的在于解決現有壓緊彈片壓緊力不足,必須采用用螺釘固定在PCB板上,從而導致結構設計空間浪費無效的問題。
本實用新型實施例之一,一種壓緊彈片,該壓緊彈片的本體呈現為“S”形,在本體下方連接的連接部具有螺孔,
所述壓緊彈片用于壓緊電力電子器件于散熱座內,連接部的螺孔用于使用螺釘將所述壓緊彈片和電力電子器件緊固在散熱座內,
當所述壓緊彈片壓緊電力電子器件時,其本體的“S”形狀使得壓緊彈片對于所述電力電子器件表面具有2個壓點,這2個壓點分別是位于“S”形頭部的第一壓點和位于“S”形尾部的第二壓點。
在本實施例中的雙壓點彈片結構中,所述散熱底座為壓鑄件,采用壓鑄模具生產,具有生產工藝成熟、適合大批量生產、生產效率高、精度高、成本低,便于后續加工等優點。
在本實用新型所述的雙壓點彈片結構中,所述高分子絕緣墊片為模切件,采用大批量卷裝,然后使用沖壓模具裁切而成,具有生產效率高、產量大、產量高、成本低,通用性好以便于標準化使用等優點。
在本實用新型所述的雙壓點彈片結構中,所述壓緊彈片為鈑金件,采用沖壓模具,便于大批量生產,具有生產效率高、精度高、良品高、成本低等優點。
本實用新型實施例之一,一種雙壓點彈片散熱結構,包括散熱底板、高分子絕緣墊片、壓緊彈片及其需要散熱處理的MOSFET、GBT等電子器件。散熱底板結構采用鋁合金材質,其成本低,制造生產工藝成熟,且散熱性高。高分子絕緣墊片結構,其材料采用高分子聚合物材料,具有成本低,通用性高,絕緣性高。壓緊彈片結構,其材料為不銹鋼材質,彈性好、強度高、抗腐蝕性好。MOSFET、IGBT等電子器件集合到PCB板上作為功率器件使用。
本實用新型雙壓點彈片結構與現有技術相比,具有以下有益效果:
1、由于MOSFET、IGBT等電子器件在電力電子中作為主要的發熱源,本實用新型采用雙壓點彈片結構,可以使電子器件壓緊更牢靠穩定,從而使電子器件的發熱更好的與散熱殼體接觸把熱量盡快傳導出去來散熱,因而散熱效果更好,提高電子器件的使用壽命,穩定性,及工作頻率等。
2、結構組裝簡單可靠,不需要投入大的工裝設備,在結構上采用兩處限位固定,從而在結構上雙保險的方式保證結構的牢靠性。
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