[發(fā)明專利]基于有序環(huán)狀狹縫陣列的石墨烯寬帶吸波器在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201911425898.6 | 申請日: | 2019-12-23 |
| 公開(公告)號: | CN111092301A | 公開(公告)日: | 2020-05-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 胡丹;王紅燕;張進峰 | 申請(專利權(quán))人: | 安陽師范學院 |
| 主分類號: | H01Q17/00 | 分類號: | H01Q17/00;G02B1/00;G02B5/00 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 455000 *** | 國省代碼: | 河南;41 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 基于 有序 環(huán)狀 狹縫 陣列 石墨 寬帶 吸波器 | ||
1.一種基于有序環(huán)狀狹縫陣列的石墨烯寬帶吸波器,其特征在于,包括金屬層、介質(zhì)層和有序環(huán)狀狹縫陣列的石墨烯層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于有序環(huán)狀狹縫陣列的石墨烯寬帶吸波器,其特征在于,所述環(huán)狀狹縫結(jié)構(gòu)呈圓形、橢圓形、三角形或多邊形。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于有序環(huán)狀狹縫陣列的石墨烯寬帶吸波器,其特征在于,所述環(huán)狀狹縫結(jié)構(gòu)單元為正方形陣列結(jié)構(gòu)或六角形陣列結(jié)構(gòu)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于有序環(huán)狀狹縫陣列的石墨烯寬帶吸波器,其特征在于,所述環(huán)狀狹縫結(jié)構(gòu)單元的周期為36微米~46微米。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于有序環(huán)狀狹縫陣列的石墨烯寬帶吸波器,其特征在于,所述介質(zhì)層的介電常數(shù)為2~6。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于有序環(huán)狀狹縫陣列的石墨烯寬帶吸波器,其特征在于,所述環(huán)狀狹縫具有圓環(huán)的形狀,所述圓環(huán)的外半徑為11微米~17微米,內(nèi)半徑為1微米~15微米。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于有序環(huán)狀狹縫陣列的石墨烯寬帶吸波器,其特征在于,所述石墨烯為單層原子排列結(jié)構(gòu)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于有序環(huán)狀狹縫陣列的石墨烯寬帶吸波器,其特征在于,所述金屬層為全金屬薄膜。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的基于有序環(huán)狀狹縫陣列的石墨烯寬帶吸波器,其特征在于,所述石墨烯寬帶吸波器的工作頻率在0.1~4.5THz頻率段內(nèi),所述金屬薄膜的厚度大于對應(yīng)所述工作頻段的所述金屬薄膜的趨膚深度。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于有序環(huán)狀狹縫陣列的石墨烯寬帶吸波器,其特征在于,所述金屬薄膜的材料為金、銅、銀或鋁。
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