[發(fā)明專利]一種基于單圓環(huán)石墨烯的太赫茲寬帶可調(diào)吸收器在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201911425897.1 | 申請日: | 2019-12-23 |
| 公開(公告)號: | CN111082229A | 公開(公告)日: | 2020-04-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 胡丹;王紅燕;張進(jìn)峰 | 申請(專利權(quán))人: | 安陽師范學(xué)院 |
| 主分類號: | H01Q17/00 | 分類號: | H01Q17/00;G02B5/00 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 455000 *** | 國省代碼: | 河南;41 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 基于 圓環(huán) 石墨 赫茲 寬帶 可調(diào) 吸收 | ||
一種基于單圓環(huán)石墨烯的太赫茲寬帶可調(diào)吸收器,涉及吸收器。呈三層結(jié)構(gòu),從下而上依次為金屬層(1)、介質(zhì)層(2)、石墨烯層(3),三層結(jié)構(gòu)之間相互貼合。所述金屬層的材料為金或銅等良導(dǎo)體,金屬層的厚度大于入射波的趨膚深度;所述介質(zhì)層的材料為二氧化硅等絕緣體,介質(zhì)層的厚度與吸波頻段有關(guān);所述石墨烯層由周期性單層石墨烯圓環(huán)結(jié)構(gòu)組成。本發(fā)明具有可調(diào)、吸收率高、結(jié)構(gòu)簡單、易于加工、偏振不敏感等優(yōu)勢,滿足在太赫茲波通信技術(shù)、探測、成像以及光電探測器等方面的應(yīng)用要求。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及太赫茲技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種基于單圓環(huán)石墨烯的太赫茲寬帶可調(diào)吸收器。該吸收器結(jié)構(gòu)能實(shí)現(xiàn)寬帶吸收,寬帶太赫茲波吸收率可調(diào)節(jié)、偏振不敏感的特性,可用于太赫茲探測,成像,隱身等方面。
背景技術(shù)
光吸收是光學(xué)領(lǐng)域的一個(gè)研究熱點(diǎn),特別是寬頻帶光吸收的研究更引起人們的關(guān)注,這是因?yàn)樗谏飩鞲小④娛码[身、光電探測器、光熱轉(zhuǎn)換等方面具有重要的應(yīng)用前景。近年來,基于金屬或介質(zhì)超材料吸收器的設(shè)計(jì)已被廣泛研究,但這些器件一旦制備出來,其吸收效率和吸收峰的位置就確定下來,這就不利于實(shí)際應(yīng)用。如何實(shí)現(xiàn)可調(diào)諧的寬頻帶完美吸收器是該領(lǐng)域最熱點(diǎn)的研究方向之一,因?yàn)樗鼈冊趯?shí)際應(yīng)用中具有很大的靈活性。目前,主要有兩種方法設(shè)計(jì)可調(diào)諧的寬頻帶超材料完美吸收器。一種方法是將兩個(gè)或多個(gè)具有不同尺寸的諧振器組合在一起構(gòu)成超大單元。另一方法是堆棧具有不同幾何尺寸的多層諧振器,所述的多層諧振器由具有適當(dāng)厚度的介質(zhì)層隔離。雖然寬帶和可調(diào)諧吸收行為是非常理想的,但它們也面臨著一些問題:結(jié)構(gòu)單元尺寸大,器件制備工藝過程復(fù)雜。這些問題極大地阻礙了它們的實(shí)際應(yīng)用。
本發(fā)明通過設(shè)計(jì)新的超材料吸收器具有寬帶強(qiáng)吸收、偏振不敏感、厚度薄,單一結(jié)構(gòu)、結(jié)構(gòu)簡單、便于加工等優(yōu)勢。另外,由于石墨烯的費(fèi)米能級可調(diào)性,使得可以實(shí)現(xiàn)吸收器強(qiáng)度的動態(tài)可調(diào)的性能,可以滿足對太赫茲吸收方面應(yīng)用的要求。
發(fā)明內(nèi)容
針對現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷,本發(fā)明的目的在于提供一種基于單圓環(huán)石墨烯的太赫茲寬帶可調(diào)吸收器,具有寬帶吸收,寬帶電可調(diào)、大角度吸收、偏振不敏感的特點(diǎn)。
為實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明的采用的技術(shù)方案是:
一種基于單圓環(huán)石墨烯的太赫茲寬帶可調(diào)吸收器,其特點(diǎn)在于:本發(fā)明呈三層結(jié)構(gòu),從下而上依次為金屬層(1)、介質(zhì)層(2)、石墨烯層(3),三層結(jié)構(gòu)之間相互貼合。所述金屬層的材料為金或銅等良導(dǎo)體,金屬層的厚度大于入射波的趨膚深度;所述介質(zhì)層的材料為二氧化硅等絕緣體,介質(zhì)層的厚度與吸波頻段有關(guān);所述石墨烯層由周期性單層石墨烯圓環(huán)結(jié)構(gòu)組成。
本發(fā)明所述的有益效果是:
1.石墨烯層關(guān)于x軸和y軸對稱,對于TE和TM波可以得到相同的吸收曲線,保證了結(jié)構(gòu)的偏振不敏感性。
2.本發(fā)明的寬頻帶吸收器結(jié)構(gòu)簡單,僅用單層石墨烯便可實(shí)現(xiàn)寬頻帶吸收效果,在特定頻帶范圍內(nèi)吸收率不低于90%。
3.當(dāng)入射角增大時(shí),仍能保持良好的吸收效果。
4.吸收器采用二維周期型結(jié)構(gòu),結(jié)構(gòu)簡單緊湊,便于大規(guī)模集成。
5.本發(fā)明利用石墨烯的電可調(diào)性,可以實(shí)現(xiàn)寬帶吸收率的動態(tài)可調(diào)特性。
附圖說明
圖1:本發(fā)明實(shí)施例的單元結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2:本發(fā)明實(shí)施例的頂層石墨烯俯視圖。
圖3:電磁波垂直入射下該吸收器的吸收曲線圖。
圖4:改變化學(xué)勢0~0.9eV時(shí)吸收曲線圖。
圖1中,1:金屬層;2:介質(zhì)層;3:石墨烯層。金屬層的長和寬為p=35微米,厚度為tm=0.2微米,介質(zhì)層厚度為td=25微米。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于安陽師范學(xué)院,未經(jīng)安陽師范學(xué)院許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201911425897.1/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。





